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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP08CN10N G-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP08CN10N G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP08CN10N G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPP08CN10N G-VB 是一款采用 TO220 封裝的單N溝道MOSFET,具有出色的性能,適用于多種高功率應(yīng)用。這款器件的耐壓值為 100V,最大導(dǎo)通電流為 120A,具有 5mΩ 的超低導(dǎo)通電阻(在 VGS=10V 時(shí)),采用先進(jìn)的 Trench(溝槽)技術(shù)制造,提供高效的功率轉(zhuǎn)換能力。其±20V 的柵極驅(qū)動(dòng)耐壓使其適用于苛刻的開(kāi)關(guān)環(huán)境。

### 二、IPP08CN10N G-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**: TO220
- **極性**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 5mΩ(VGS=10V)
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench(溝槽)技術(shù)
- **最大功率耗散 (Ptot)**: 200W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +175°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

1. **電源管理和轉(zhuǎn)換**  
  IPP08CN10N G-VB 適用于高效電源轉(zhuǎn)換器,特別是在電源管理模塊 (PSU) 和開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 領(lǐng)域。這類應(yīng)用要求快速的開(kāi)關(guān)速度和高效的能量轉(zhuǎn)換,該 MOSFET 低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)能夠最大限度減少功率損耗,提升電源轉(zhuǎn)換效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制**  
  在工業(yè)和汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中,IPP08CN10N G-VB 可用于控制大電流和高電壓的直流電機(jī)。該器件具有高電流能力和高耐壓能力,適合用于工業(yè)伺服系統(tǒng)、自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)控制模塊。

3. **汽車電子**  
  由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,IPP08CN10N G-VB 常被應(yīng)用于汽車的電氣系統(tǒng)中,如電池管理系統(tǒng)、啟動(dòng)電機(jī)、以及電動(dòng)轉(zhuǎn)向等模塊。這些應(yīng)用需要穩(wěn)定的電流控制與低熱損耗,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **太陽(yáng)能逆變器**  
  在光伏系統(tǒng)的太陽(yáng)能逆變器中,該 MOSFET 也被廣泛應(yīng)用于高效能量傳輸。它的低損耗和耐高電流特性使其非常適合用于提高系統(tǒng)的整體轉(zhuǎn)換效率。

5. **不間斷電源 (UPS)**  
  在不間斷電源設(shè)備中,IPP08CN10N G-VB 的高電流承載能力和低損耗使其成為理想選擇。這類應(yīng)用要求在大電流環(huán)境下提供快速切換性能,并確保電力供應(yīng)的連續(xù)性。

通過(guò)其高效的電氣性能和堅(jiān)固的物理特性,IPP08CN10N G-VB 成為高功率、高效率設(shè)備的理想選擇,在多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

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