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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP100N10S3-05-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP100N10S3-05-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP100N10S3-05-VB 產(chǎn)品簡介

IPP100N10S3-05-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝,專為需要高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 的最大漏源電壓為 100V,最大漏極電流為 120A,其導(dǎo)通電阻在 VGS = 10V 下為僅 5mΩ。這款 MOSFET 采用先進(jìn)的溝槽型(Trench)技術(shù),具有優(yōu)異的開關(guān)性能和低功耗特性,能夠在高負(fù)載條件下穩(wěn)定工作,是各種高功率電子設(shè)備的理想選擇。

### 二、IPP100N10S3-05-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單極 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:120A
- **技術(shù)類型**:溝槽型(Trench)技術(shù)
- **耗散功率 (Ptot)**:約 300W(具體取決于散熱條件)
- **熱阻 (RthJC)**:0.5℃/W(結(jié)到殼)
- **工作溫度范圍**:-55℃ 到 175℃

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理系統(tǒng)**:IPP100N10S3-05-VB 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于電源管理系統(tǒng),如高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)模塊。它能夠有效處理高功率負(fù)載,提高整體系統(tǒng)的效率。

2. **汽車電力系統(tǒng)**:在電動汽車及混合動力汽車中,這款 MOSFET 可以用于電池管理系統(tǒng)、電動機(jī)驅(qū)動以及電源轉(zhuǎn)換模塊,確保在高電流條件下穩(wěn)定工作,同時減少能量損耗。

3. **開關(guān)電源(SMPS)**:IPP100N10S3-05-VB 適用于開關(guān)電源的主要開關(guān)元件,其高電流能力和低導(dǎo)通電阻能夠支持高功率輸出,同時保持高效能量轉(zhuǎn)換,提升電源的整體性能。

4. **太陽能逆變器**:該 MOSFET 可以用作光伏系統(tǒng)中的逆變器模塊,以高效的方式轉(zhuǎn)換太陽能產(chǎn)生的直流電為交流電。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力能夠有效提高逆變器的效率。

5. **不間斷電源 (UPS)**:在 UPS 系統(tǒng)中,IPP100N10S3-05-VB 的高開關(guān)能力和低損耗特性使其成為關(guān)鍵的開關(guān)元件,能夠在負(fù)載變化時保持系統(tǒng)的穩(wěn)定電力輸出,提高 UPS 的性能和可靠性。

通過其出色的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,這款 MOSFET 能夠在多個高功率和高效能需求的應(yīng)用中提供卓越的性能。

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