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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP100P03P3L-04-VB一款TO220封裝P-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP100P03P3L-04-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-P-Channel
  • VDS -30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -3V
  • RDS(ON) 4mΩ@VGS=10V
  • ID -100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP100P03P3L-04-VB 產(chǎn)品簡介
IPP100P03P3L-04-VB 是一款高性能單P溝道MOSFET,采用 TO220 封裝,專為需要高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計。該器件的漏源電壓為 -30V,能夠處理高達(dá) -100A 的漏極電流。其顯著特點是具有極低的導(dǎo)通電阻,分別為 5mΩ 和 4mΩ(在 VGS = 4.5V 和 10V 時),并采用先進(jìn)的 Trench(溝槽)技術(shù)制造,確保高效能量轉(zhuǎn)換和低功率損耗。

### 二、IPP100P03P3L-04-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO220
- **極性**: 單P溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: -30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 5mΩ(VGS = 4.5V),4mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏極電流 (ID)**: -100A
- **技術(shù)**: Trench(溝槽)技術(shù)
- **最大功率耗散 (Ptot)**: 200W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +175°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

1. **電源管理和轉(zhuǎn)換**  
  IPP100P03P3L-04-VB 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,非常適合用于電源管理系統(tǒng),如高效率的開關(guān)電源 (SMPS) 和電源分配模塊。這種 MOSFET 能夠在高功率轉(zhuǎn)換過程中減少能量損耗,提高整體系統(tǒng)的效率。

2. **電機驅(qū)動與控制**  
  在電機控制應(yīng)用中,特別是在需要高電流的直流電機驅(qū)動器中,IPP100P03P3L-04-VB 由于其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,可以有效控制大電流,并減少熱損耗,提升驅(qū)動系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

3. **汽車電子**  
  在汽車電子系統(tǒng)中,IPP100P03P3L-04-VB 可用于電池管理、逆變器和電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)等模塊。該 MOSFET 的高電流能力和低功率損耗特性使其適合用于汽車的高功率電子設(shè)備。

4. **逆變器和轉(zhuǎn)換器**  
  在光伏和風(fēng)能逆變器中,IPP100P03P3L-04-VB 的高效率和低導(dǎo)通電阻使其成為理想選擇。這種 MOSFET 能夠有效地處理大電流,從而提高能量轉(zhuǎn)換效率并減少系統(tǒng)的功率損耗。

5. **不間斷電源 (UPS)**  
  在 UPS 系統(tǒng)中,IPP100P03P3L-04-VB 提供了穩(wěn)定的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,有助于提升 UPS 的性能,確保在電力中斷時系統(tǒng)能夠快速切換并提供可靠的電力支持。

IPP100P03P3L-04-VB 的出色性能使其在多個高功率和高效能應(yīng)用中表現(xiàn)出色,成為各種電力電子設(shè)備中的關(guān)鍵組件。

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