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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP120N06S4-H1-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP120N06S4-H1-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 2.1mΩ@VGS=10V
  • ID 270A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、產(chǎn)品簡介:**

IPP120N06S4-H1-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝,專為高電流和低導(dǎo)通電阻應(yīng)用設(shè)計。其漏源電壓 (VDS) 為 60V,柵極電壓 (VGS) 最大為 ±20V。這款 MOSFET 采用先進的溝槽(Trench)技術(shù),具備極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),在 VGS=4.5V 時為 2.5mΩ,VGS=10V 時為 2.1mΩ,支持高達 270A 的漏極電流 (ID)。這些特性使其在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,特別適合用于需要高電流和高效率的電源管理系統(tǒng)。

**二、詳細參數(shù)說明:**

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2.5mΩ @ VGS=4.5V
 - 2.1mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:270A
- **技術(shù)**:溝槽(Trench)技術(shù)

**三、適用領(lǐng)域和模塊:**

1. **高效電源轉(zhuǎn)換器**:IPP120N06S4-H1-VB 在高效電源轉(zhuǎn)換器中非常適用,如開關(guān)電源(SMPS)和逆變器。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其能夠在高功率密度下高效地轉(zhuǎn)換電能,減少功率損失,提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **電動汽車**:該 MOSFET 適用于電動汽車中的電力管理系統(tǒng)和驅(qū)動控制模塊。其高電流能力和低 RDS(ON) 特性使其能夠有效管理電動汽車的電池放電和電機驅(qū)動,提升汽車的整體性能和續(xù)航能力。

3. **工業(yè)電機驅(qū)動**:在工業(yè)應(yīng)用中,IPP120N06S4-H1-VB 可以用于電機驅(qū)動器。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻有助于高效驅(qū)動大功率電機,如在機器人和自動化設(shè)備中提供穩(wěn)定的電源支持。

4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:在電池管理系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可用于實現(xiàn)高效的電池開關(guān)和保護功能。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力確保電池在充放電過程中的安全和效率。

5. **太陽能逆變器**:該 MOSFET 在太陽能逆變器中可用于高效電流轉(zhuǎn)換和管理。它的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠在光伏系統(tǒng)中高效地將太陽能轉(zhuǎn)換為電力,支持高效的能量轉(zhuǎn)換和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

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