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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP120P04P4L-03-VB一款TO220封裝P-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP120P04P4L-03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-P-Channel
  • VDS -40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -3V
  • RDS(ON) 2.9mΩ@VGS=10V
  • ID -130A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPP120P04P4L-03-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:
IPP120P04P4L-03-VB 是一款高性能的單P溝道功率MOSFET,采用TO220封裝,具有-40V的漏源電壓(VDS)和-130A的漏極電流(ID)。這款MOSFET基于Trench技術(shù),專為高電流和低導(dǎo)通電阻應(yīng)用設(shè)計。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為4mΩ(VGS=4.5V)和2.9mΩ(VGS=10V),能夠在不同的柵源電壓下提供卓越的性能。這使得IPP120P04P4L-03-VB特別適合需要高效能和低功耗的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單P溝道(Single-P-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**:-40V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 4mΩ @ VGS=4.5V
 - 2.9mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:-130A
- **技術(shù)**:Trench
- **工作溫度范圍**:通常在-55°C至+175°C
- **柵極電荷(Qg)**:典型值為140nC,確保高效快速的開關(guān)響應(yīng)
- **功率耗散**:175W

### 適用領(lǐng)域及模塊舉例:
1. **高效電源開關(guān)**:IPP120P04P4L-03-VB的低導(dǎo)通電阻特性使其在高效電源開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。特別是在高電流DC-DC轉(zhuǎn)換器的負(fù)載開關(guān)中,這款MOSFET能減少功耗和熱量,提升電源轉(zhuǎn)換效率。它適用于計算機電源、工業(yè)電源和高效LED驅(qū)動器等設(shè)備。

2. **電動汽車(EV)充電系統(tǒng)**:在電動汽車的充電系統(tǒng)中,該MOSFET可以用于電池開關(guān)和高電流控制模塊。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻確保電池管理系統(tǒng)的高效能和穩(wěn)定性,有助于優(yōu)化充電過程和延長電池壽命。

3. **電力逆變器**:IPP120P04P4L-03-VB在電力逆變器中也表現(xiàn)優(yōu)異,尤其適用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)和UPS電源。由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,這款MOSFET能有效提升逆變器的效率,減少能量損失,確保穩(wěn)定可靠的電力輸出。

4. **高功率負(fù)載控制**:在工業(yè)應(yīng)用中,該MOSFET可以用于高功率負(fù)載控制,如電機驅(qū)動和大功率開關(guān)。其能夠處理高電流負(fù)載,適合用于電機控制器、功率調(diào)節(jié)器和開關(guān)電源系統(tǒng),提供穩(wěn)定的性能和高效能。

總結(jié)而言,IPP120P04P4L-03-VB MOSFET由于其高電流處理能力、低導(dǎo)通電阻和優(yōu)秀的開關(guān)性能,廣泛應(yīng)用于高效電源開關(guān)、電動汽車充電系統(tǒng)、電力逆變器以及高功率負(fù)載控制等領(lǐng)域,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

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