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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP26CN10N G-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP26CN10N G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 17mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**

IPP26CN10N G-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,封裝采用 TO220,設(shè)計(jì)用于中高電壓和中等電流應(yīng)用。其漏源電壓 (VDS) 為 100V,允許的柵極電壓 (VGS) 最大為 ±20V。這款 MOSFET 采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),具備低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 和高漏極電流 (ID) 的特性,RDS(ON) 在 VGS=10V 時(shí)為 17mΩ,支持高達(dá) 70A 的漏極電流。其優(yōu)越的電氣性能使其適用于要求中高電壓和中等電流的應(yīng)用場(chǎng)景。

**二、詳細(xì)參數(shù)說明:**

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:17mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:70A
- **技術(shù)**:溝槽(Trench)技術(shù)

**三、適用領(lǐng)域和模塊:**

1. **開關(guān)電源 (SMPS)**:IPP26CN10N G-VB 非常適合用于開關(guān)電源(SMPS)中的開關(guān)元件。其高電壓和中等電流處理能力,使其能夠有效地進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)壓,適用于高效率電源管理和功率轉(zhuǎn)換模塊。

2. **電動(dòng)工具**:在電動(dòng)工具的電源管理系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電源開關(guān)。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力有助于提高電動(dòng)工具的性能和效率,特別是在需要高可靠性的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)越。

3. **汽車電子**:IPP26CN10N G-VB 在汽車電子系統(tǒng)中也有廣泛應(yīng)用,如車載電源管理模塊和電機(jī)控制系統(tǒng)。其高電壓和高電流處理能力適合用于汽車中的各種電源開關(guān)和驅(qū)動(dòng)控制,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,這款 MOSFET 可用于電池保護(hù)和開關(guān)控制。其高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻確保了在電池充放電過程中的安全和高效管理,保護(hù)電池免受過流和過熱影響。

5. **太陽能逆變器**:該 MOSFET 在太陽能逆變器中也可發(fā)揮作用。它的高電壓和中等電流處理能力使其能夠有效地轉(zhuǎn)換光伏電池的電力,提高逆變器的效率和可靠性。

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