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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPP45N06S3-16-VB一款TO220封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPP45N06S3-16-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 11mΩ@VGS=10V
  • ID 60A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP45N06S3-16-VB 產(chǎn)品簡介

IPP45N06S3-16-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO220,設計用于處理高電流和低導通電阻的應用。該 MOSFET 的最大漏源電壓為 60V,最大漏極電流為 60A。其導通電阻在 VGS = 4.5V 條件下為 13mΩ,在 VGS = 10V 條件下為 11mΩ。采用先進的溝槽型(Trench)技術(shù),使得該 MOSFET 具備了出色的開關(guān)性能和低功耗特性,能夠在高負載條件下穩(wěn)定運行。其設計適合應用于各種高效能電源系統(tǒng)和功率管理模塊。

### 二、IPP45N06S3-16-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單極 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 13mΩ @ VGS = 4.5V
 - 11mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:60A
- **技術(shù)類型**:溝槽型(Trench)技術(shù)
- **耗散功率 (Ptot)**:約 120W(具體取決于散熱條件)
- **熱阻 (RthJC)**:1.5℃/W(結(jié)到殼)
- **工作溫度范圍**:-55℃ 到 175℃

### 三、應用領域和模塊示例

1. **開關(guān)電源(SMPS)**:IPP45N06S3-16-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于開關(guān)電源中的開關(guān)元件。這款 MOSFET 能夠有效降低功率損耗,提高電源的整體效率,廣泛應用于計算機電源、工業(yè)電源以及高效能電源模塊中。

2. **電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)**:在電動汽車的電動機驅(qū)動系統(tǒng)中,該 MOSFET 可作為電機控制開關(guān),支持高電流負載,同時優(yōu)化電動機的性能和效率。其低導通電阻能夠減少能量損耗,提高系統(tǒng)的可靠性和耐用性。

3. **電池管理系統(tǒng)**:IPP45N06S3-16-VB 適用于電池管理系統(tǒng)中的功率開關(guān)模塊,能夠有效處理高電流負載,提供穩(wěn)定的電流管理,并保護電池免受過電流和過熱影響,從而提高電池的使用壽命和安全性。

4. **工業(yè)自動化**:在工業(yè)自動化設備和高功率控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 能夠作為高效的功率開關(guān),提供穩(wěn)定的電流開關(guān)功能。它能在各種工業(yè)設備中保證高效能和長期可靠性,適用于電機驅(qū)動、加熱控制和高功率開關(guān)等應用。

5. **太陽能逆變器**:在光伏發(fā)電系統(tǒng)中的逆變器模塊中,IPP45N06S3-16-VB 可以高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,支持高功率應用,同時減少能量損耗,適用于大規(guī)模光伏發(fā)電系統(tǒng)的高效能需求。

通過其卓越的電流處理能力和低導通電阻,IPP45N06S3-16-VB 是各種高功率和高效能應用的理想選擇,能夠提供穩(wěn)定且高效的電能轉(zhuǎn)換。

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