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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP45N06S4-09-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP45N06S4-09-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPP45N06S4-09-VB是一款高電流、高效能的N溝道MOSFET,封裝形式為T(mén)O220。該MOSFET采用先進(jìn)的Trench技術(shù),具備60V的漏源耐壓和高達(dá)120A的漏極電流處理能力。其導(dǎo)通電阻在10V柵極驅(qū)動(dòng)下為5mΩ,確保了低功率損耗和高效的開(kāi)關(guān)性能。該器件特別適用于高電流、高效率的開(kāi)關(guān)應(yīng)用,能夠提供穩(wěn)定的性能和優(yōu)異的能效。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**: TO220
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開(kāi)啟閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench

### 三、適用領(lǐng)域及模塊
IPP45N06S4-09-VB MOSFET因其高電流能力和低導(dǎo)通電阻,適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器**:在高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器中,例如計(jì)算機(jī)電源、電力逆變器和服務(wù)器電源,該MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件使用。其低RDS(ON)和高電流能力確保了高效的功率轉(zhuǎn)換和最小的功率損耗。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:在電動(dòng)汽車(chē)、電動(dòng)工具以及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,IPP45N06S4-09-VB可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)控制電機(jī)的開(kāi)關(guān)和調(diào)速。其高電流處理能力和低功耗特性保證了電機(jī)運(yùn)行的穩(wěn)定性和效率。

3. **太陽(yáng)能逆變器**:在太陽(yáng)能逆變器中,使用該MOSFET可以有效地進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換和電流開(kāi)關(guān)。其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和低功率損耗特性使其在高功率太陽(yáng)能系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,提升了整體能效。

4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,特別是在需要高電流的應(yīng)用場(chǎng)景中,該MOSFET可用于開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻能夠有效管理電池的充放電過(guò)程,確保系統(tǒng)的高效和安全。

總的來(lái)說(shuō),IPP45N06S4-09-VB MOSFET在高電流、高效率的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,特別適合于高功率電源管理、電機(jī)控制、太陽(yáng)能逆變器和電池管理等領(lǐng)域。

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