--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 120A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPP45N06S4-09-VB是一款高電流、高效能的N溝道MOSFET,封裝形式為T(mén)O220。該MOSFET采用先進(jìn)的Trench技術(shù),具備60V的漏源耐壓和高達(dá)120A的漏極電流處理能力。其導(dǎo)通電阻在10V柵極驅(qū)動(dòng)下為5mΩ,確保了低功率損耗和高效的開(kāi)關(guān)性能。該器件特別適用于高電流、高效率的開(kāi)關(guān)應(yīng)用,能夠提供穩(wěn)定的性能和優(yōu)異的能效。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**: TO220
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開(kāi)啟閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench
### 三、適用領(lǐng)域及模塊
IPP45N06S4-09-VB MOSFET因其高電流能力和低導(dǎo)通電阻,適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器**:在高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器中,例如計(jì)算機(jī)電源、電力逆變器和服務(wù)器電源,該MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件使用。其低RDS(ON)和高電流能力確保了高效的功率轉(zhuǎn)換和最小的功率損耗。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:在電動(dòng)汽車(chē)、電動(dòng)工具以及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,IPP45N06S4-09-VB可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)控制電機(jī)的開(kāi)關(guān)和調(diào)速。其高電流處理能力和低功耗特性保證了電機(jī)運(yùn)行的穩(wěn)定性和效率。
3. **太陽(yáng)能逆變器**:在太陽(yáng)能逆變器中,使用該MOSFET可以有效地進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換和電流開(kāi)關(guān)。其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和低功率損耗特性使其在高功率太陽(yáng)能系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,提升了整體能效。
4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,特別是在需要高電流的應(yīng)用場(chǎng)景中,該MOSFET可用于開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻能夠有效管理電池的充放電過(guò)程,確保系統(tǒng)的高效和安全。
總的來(lái)說(shuō),IPP45N06S4-09-VB MOSFET在高電流、高效率的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,特別適合于高功率電源管理、電機(jī)控制、太陽(yáng)能逆變器和電池管理等領(lǐng)域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛