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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP45P03P4L-11-VB一款TO220封裝P-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP45P03P4L-11-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-P-Channel
  • VDS -30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2.5V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID -70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:
IPP45P03P4L-11-VB 是一款高性能單P溝道MOSFET,采用 TO220 封裝。這款MOSFET專為需要高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻的負(fù)電壓應(yīng)用而設(shè)計。具有最大漏源極電壓(VDS)為 -30V 和 ±20V 的柵源極電壓(VGS)。其開啟電壓閾值(Vth)為 -2.5V,利用先進的 Trench 技術(shù)來降低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),旨在提升開關(guān)效率和整體系統(tǒng)性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO220
- **通道配置**: 單-P溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓閾值 (Vth)**: -2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: -70A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:
1. **電源管理**: IPP45P03P4L-11-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適用于電源管理系統(tǒng)中的負(fù)電壓開關(guān)應(yīng)用,如在DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源逆變器中。它能夠有效降低開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)的整體效率,廣泛應(yīng)用于計算機電源、通信設(shè)備和工業(yè)電源模塊中。

2. **電機驅(qū)動**: 由于其能夠處理高電流和低導(dǎo)通電阻,該MOSFET 適用于電機驅(qū)動系統(tǒng),特別是在需要高效開關(guān)和可靠控制的場合。它廣泛應(yīng)用于電動車、家用電器以及工業(yè)自動化系統(tǒng)中的電機控制器,確保電機在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運行。

3. **汽車電子**: 在汽車電子系統(tǒng)中,特別是電源管理和開關(guān)控制模塊中,IPP45P03P4L-11-VB 提供了高電流處理能力和低功耗特性。它適合用于汽車電池管理系統(tǒng)、ECU和其他汽車電源模塊,能夠在汽車的極端環(huán)境下穩(wěn)定工作。

4. **負(fù)電壓開關(guān)**: IPP45P03P4L-11-VB 的設(shè)計使其非常適合用于需要負(fù)電壓開關(guān)的應(yīng)用場合。例如,在需要負(fù)電壓控制的負(fù)載開關(guān)和電路保護中,它能夠提供高效、可靠的開關(guān)性能,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和長壽命。

總體而言,IPP45P03P4L-11-VB 以其高效的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻,在電源管理、電機驅(qū)動、汽車電子和負(fù)電壓開關(guān)等多個領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,是各種高電流和負(fù)電壓應(yīng)用的理想選擇。

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