--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 220mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介
IPP50R350CP-VB是一款超結(jié)(Super Junction)N溝道MOSFET,封裝為TO220,專為高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源耐壓高達(dá)650V,具有較低的導(dǎo)通電阻(220mΩ @ 10V VGS)和15A的漏極電流能力。IPP50R350CP-VB采用SJ_Multi-EPI技術(shù),能夠顯著減少開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)的整體能效。這款MOSFET在高壓功率轉(zhuǎn)換和工業(yè)電源系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用,具有高效的開關(guān)性能和耐用性。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO220
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 220mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI (超結(jié)多重外延技術(shù))
### 三、適用領(lǐng)域及模塊
IPP50R350CP-VB MOSFET由于其高電壓能力和超結(jié)結(jié)構(gòu),適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **開關(guān)電源 (SMPS)**:在開關(guān)模式電源中,IPP50R350CP-VB的高壓耐受能力和低導(dǎo)通電阻使其適合高效能的功率轉(zhuǎn)換。它能夠在AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器中發(fā)揮作用,特別是在要求較高電壓的工業(yè)和消費(fèi)級電源中,提供高效和低損耗的開關(guān)性能。
2. **工業(yè)電源**:IPP50R350CP-VB非常適合在工業(yè)電源系統(tǒng)中使用,特別是高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)、伺服驅(qū)動(dòng)器和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中。其高壓能力和耐用性確保了在苛刻環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。
3. **逆變器**:在光伏逆變器和風(fēng)能逆變器等可再生能源應(yīng)用中,該MOSFET的高壓特性可有效進(jìn)行高壓DC電源的轉(zhuǎn)換和管理,提供高效的能量傳輸,減少開關(guān)損耗,提高逆變器的整體效率。
4. **電動(dòng)汽車和充電樁**:IPP50R350CP-VB在電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)和高壓電池管理中有廣泛應(yīng)用。其650V的耐壓能力使其能夠處理高電壓電池的管理和充電過程,確保充電系統(tǒng)的安全性和高效性。
總的來說,IPP50R350CP-VB MOSFET適合于高壓、高效能的應(yīng)用領(lǐng)域,尤其是工業(yè)電源、逆變器、開關(guān)電源和電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)中,提供穩(wěn)定可靠的高壓開關(guān)解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛