--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 160mΩ@VGS=10V
- ID 20A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介:
IPP60R190P6-VB 是一款基于超級結(jié) (SJ) 技術(shù)的高壓 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO220,具有優(yōu)異的開關(guān)性能和高效能量轉(zhuǎn)換能力。該產(chǎn)品的 VDS 額定值為 650V,具備較高的耐壓特性,適用于高電壓應(yīng)用。其導通電阻 RDS(ON) 為 160mΩ(VGS = 10V 時),保證了在高電流條件下的低功耗。IPP60R190P6-VB 的柵源電壓 VGS 允許的范圍為 ±30V,確保了在多種控制電壓下的可靠性,適用于各類需要高效能量轉(zhuǎn)換的應(yīng)用領(lǐng)域。
### 二、詳細參數(shù)說明:
1. **封裝類型**:TO220
2. **溝道類型**:單一 N 溝道
3. **VDS(漏源電壓)**:650V
4. **VGS(柵源電壓)**:±30V
5. **Vth(閾值電壓)**:3.5V
6. **RDS(ON)(導通電阻)**:160mΩ @ VGS = 10V
7. **ID(漏極電流)**:20A
8. **技術(shù)**:超級結(jié) (SJ) 多層外延技術(shù) (Multi-EPI)
9. **熱阻**:Rth(j-c) = 1.0°C/W
10. **Qg(總柵電荷)**:49 nC
11. **td(on)(導通延遲時間)**:10 ns
12. **tr(上升時間)**:30 ns
13. **td(off)(關(guān)斷延遲時間)**:20 ns
14. **tf(下降時間)**:15 ns
15. **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. **電源供應(yīng)模塊**:IPP60R190P6-VB 廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS)中,特別適合于服務(wù)器電源、PC 電源以及工業(yè)電源模塊中。這些領(lǐng)域需要高效的能量轉(zhuǎn)換能力以及快速的開關(guān)速度,超級結(jié)技術(shù)的應(yīng)用確保了該產(chǎn)品在高壓環(huán)境下具有低損耗和高效率。
2. **光伏逆變器**:該 MOSFET 能有效提升光伏發(fā)電系統(tǒng)的逆變效率,尤其適用于光伏逆變器的高壓部分,確保能量從直流到交流的高效轉(zhuǎn)換,降低系統(tǒng)的能量損耗并提高整體可靠性。
3. **不間斷電源(UPS)**:IPP60R190P6-VB 在 UPS 系統(tǒng)中,尤其是在中高功率應(yīng)用中,能提供穩(wěn)定的電流管理與能量轉(zhuǎn)換,適合需要高電壓處理的模塊,確保在電力中斷時持續(xù)供應(yīng)穩(wěn)定的能量。
4. **工業(yè)電機驅(qū)動**:對于高壓的工業(yè)電機驅(qū)動控制系統(tǒng),IPP60R190P6-VB 可作為核心的開關(guān)元件,提供出色的功率處理能力與高效的熱管理,確保長時間運行時的穩(wěn)定性和可靠性。
該器件還可以用于各種需要高電壓處理的功率模塊中,包括照明系統(tǒng)、電動車充電模塊等。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12