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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP60R299CP-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP60R299CP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 220mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP60R299CP-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPP60R299CP-VB 是一種采用 TO220 封裝的單N溝道功率MOSFET,適用于高壓應(yīng)用。其主要特點(diǎn)是采用超結(jié) (Super Junction) 技術(shù)的多重外延工藝 (SJ_Multi-EPI),在保持低導(dǎo)通電阻的同時(shí),實(shí)現(xiàn)了較高的電壓承受能力(650V)。該器件能夠提供較低的開(kāi)關(guān)損耗和高效能,使其在要求高電壓和高功率的應(yīng)用中具備優(yōu)異表現(xiàn)。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**:TO220  
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:220mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**:15A  
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI(超結(jié)多重外延工藝)  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C  
- **功耗 (Ptot)**:125W(在25°C時(shí))

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
1. **開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)**:IPP60R299CP-VB 特別適用于開(kāi)關(guān)電源中,尤其是在高壓輸入場(chǎng)合(如工業(yè)或商業(yè)級(jí)設(shè)備中的AC-DC轉(zhuǎn)換器)。其高耐壓和低導(dǎo)通電阻能夠提高系統(tǒng)的效率并降低熱量產(chǎn)生,確保長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。

2. **電動(dòng)工具和家用電器**:該MOSFET在電動(dòng)工具和高功率家用電器中也得到了廣泛應(yīng)用,例如空調(diào)、洗衣機(jī)和微波爐等設(shè)備中使用的變頻器模塊。在這些應(yīng)用中,650V的耐壓和15A的電流能力能夠滿足大功率驅(qū)動(dòng)需求。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:IPP60R299CP-VB 還可以在需要控制電機(jī)速度和扭矩的應(yīng)用中,如電動(dòng)汽車(chē)充電樁、工業(yè)用電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等,利用其高壓特性來(lái)確保電機(jī)啟動(dòng)和正常運(yùn)行的可靠性。

4. **光伏逆變器**:在太陽(yáng)能光伏逆變器系統(tǒng)中,由于該MOSFET具備較高的電壓額定值和低損耗特性,它適合用于高效能的直流電轉(zhuǎn)換到交流電的模塊。

通過(guò)以上應(yīng)用示例,可以看出 IPP60R299CP-VB 憑借其高耐壓和高效率的設(shè)計(jì),適用于多種高壓功率轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用。

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