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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP60R520E6-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP60R520E6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
  • ID 9A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介  
**IPP60R520E6-VB** 是一款高壓單N溝道MOSFET,封裝為TO220,設(shè)計用于高電壓、高可靠性應(yīng)用。該MOSFET具有650V的漏源電壓(VDS)和±30V的柵源電壓(VGS)承受能力,適合要求高耐壓的電力電子設(shè)備。其基于超級結(jié)多層外延(SJ_Multi-EPI)技術(shù),提供相對較高的導(dǎo)通電阻500mΩ,并能處理最高9A的漏極電流。該產(chǎn)品主要應(yīng)用于高壓開關(guān)電源和逆變器等場景,提供穩(wěn)定的開關(guān)性能和良好的功率處理能力。

### 二、詳細參數(shù)說明  
- **封裝**:TO220  
- **配置**:單N溝道  
- **漏源電壓(VDS)**:650V  
- **柵源電壓(VGS)**:±30V  
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:500mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流(ID)**:9A  
- **技術(shù)**:超級結(jié)多層外延(SJ_Multi-EPI)  
- **最大功率耗散**:依賴于具體的散熱條件,TO220封裝通常能承受較高的功率耗散。  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊  
1. **開關(guān)電源(SMPS)**  
  IPP60R520E6-VB 適用于各種開關(guān)模式電源(SMPS),尤其是在需要高電壓保護的場合。由于其650V的漏源電壓能力和良好的耐熱性,這款MOSFET特別適合用于中等功率的開關(guān)電源應(yīng)用,例如電源適配器和小型工業(yè)電源模塊。

2. **逆變器系統(tǒng)**  
  在逆變器系統(tǒng)中,尤其是那些用于太陽能光伏系統(tǒng)和電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)的逆變器,IPP60R520E6-VB 提供可靠的開關(guān)性能。它的高耐壓和相對較高的導(dǎo)通電阻使其適用于中等功率的逆變器應(yīng)用,幫助實現(xiàn)高效的AC-DC和DC-AC轉(zhuǎn)換。

3. **功率模塊**  
  該MOSFET也適合用于各種功率模塊中,包括電機驅(qū)動和工業(yè)控制模塊。雖然其導(dǎo)通電阻較高,但在需要處理高電壓并且允許較高導(dǎo)通電阻的應(yīng)用中,該產(chǎn)品仍能提供穩(wěn)定的性能。

4. **照明控制系統(tǒng)**  
  IPP60R520E6-VB 可用于照明控制系統(tǒng),如高功率LED驅(qū)動器和HID照明系統(tǒng)。其高耐壓性能確保在高電壓環(huán)境下的穩(wěn)定運行,而較高的導(dǎo)通電阻適用于對效率要求不那么苛刻的場合。

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