--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 700V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 210mΩ@VGS=10V
- ID 20A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**產(chǎn)品簡介:**
IPP65R280C6-VB 是一款采用超級結(jié)(Super Junction)多重外延(Multi-EPI)技術(shù)的單N溝道MOSFET。它具有高達700V的漏源極電壓(VDS)和±30V的柵源極電壓(VGS),使其能夠承受較高的電壓環(huán)境。該MOSFET的導(dǎo)通電阻為210mΩ(@VGS=10V),雖然稍高于某些類似型號,但其高電壓和較大的漏極電流(ID=20A)使其在高壓應(yīng)用中依然表現(xiàn)出色。適用于需要高電壓處理能力和高穩(wěn)定性的場合。
**詳細參數(shù)說明:**
- **封裝類型**:TO220
- **溝道類型**:單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:700V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
- **開啟電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:210mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:20A
- **技術(shù)類型**:超級結(jié)多重外延(SJ_Multi-EPI)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **開關(guān)頻率**:適用于中高頻率應(yīng)用
**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:**
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換**:IPP65R280C6-VB 的高耐壓能力使其非常適用于高壓電源轉(zhuǎn)換器(如高壓直流-直流變換器和AC-DC電源適配器)。其在電源管理中的應(yīng)用可以確保系統(tǒng)在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運行,減少功率損耗并提升轉(zhuǎn)換效率。
2. **工業(yè)驅(qū)動模塊**:該MOSFET 適用于工業(yè)驅(qū)動模塊中,如電動機驅(qū)動器和工業(yè)控制器。其高電壓耐受能力和穩(wěn)定的性能使其能夠處理大功率負載,保證工業(yè)設(shè)備的可靠運行。
3. **太陽能逆變器**:在太陽能逆變器中,IPP65R280C6-VB 的高電壓處理能力使其能夠有效地進行太陽能電池板產(chǎn)生的高壓直流電的轉(zhuǎn)換,提升系統(tǒng)的整體效率和可靠性。
4. **照明控制系統(tǒng)**:適用于高壓LED照明驅(qū)動器或HID燈具中的控制電路。其在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定性可以確保LED或HID燈具的高效且穩(wěn)定的運行。
5. **電力保護系統(tǒng)**:由于其高耐壓能力,該MOSFET 也適合用于電力保護系統(tǒng)中的開關(guān)和保護電路,能夠有效地承受和切斷高電壓電流,保護系統(tǒng)安全。
通過這些應(yīng)用,IPP65R280C6-VB 在高壓環(huán)境中的表現(xiàn)和穩(wěn)定性使其成為多個領(lǐng)域中關(guān)鍵電子組件的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12