91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

IPP65R380C6-VB一款TO220封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPP65R380C6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 700V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 350mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP65R380C6-VB 產(chǎn)品簡介

IPP65R380C6-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,封裝為TO220,專為高壓應用設計。它具有700V的漏源電壓額定值,能夠承受高電壓環(huán)境,適合各種高壓電力應用。此MOSFET 的最大柵源電壓為±30V,閾值電壓為3.5V,結合低導通電阻350mΩ(在VGS=10V下)和較大的漏極電流15A,使其在高電壓和高電流條件下表現(xiàn)出色。其采用的超級結(Super Junction)多層外延(SJ_Multi-EPI)技術確保了其高效能和穩(wěn)定性,使其特別適用于高效能功率轉換和控制電路。

### 二、詳細參數(shù)說明

- **封裝**:TO220
- **類型**:單N溝道
- **VDS** (漏源電壓):700V
- **VGS** (柵源電壓):±30V
- **Vth** (閾值電壓):3.5V
- **RDS(ON)** (導通電阻):350mΩ@VGS=10V
- **ID** (漏極電流):15A
- **技術**:超級結 (SJ_Multi-EPI) 技術
- **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C

此MOSFET具有高耐壓、低導通電阻和高電流承受能力,非常適合用于需要高效率和高可靠性的電源和電機控制應用。

### 三、應用領域及模塊舉例

IPP65R380C6-VB 的應用領域包括:

1. **高壓開關電源(SMPS)**:
  - 在高效開關模式電源(如AC-DC轉換器和DC-DC變換器)中,這款MOSFET能夠處理高達700V的電壓,適用于高電壓輸入的場合。低導通電阻有助于降低功率損耗,提高轉換效率。

2. **電機驅(qū)動控制**:
  - 適用于高壓電機驅(qū)動系統(tǒng),如工業(yè)電機驅(qū)動和高功率家電電機控制。其較高的漏極電流能力確保了電機驅(qū)動的可靠性,并減少了能量損耗。

3. **光伏逆變器**:
  - 用于光伏系統(tǒng)中的逆變器模塊。IPP65R380C6-VB 能夠在高壓側高效轉換太陽能電池板產(chǎn)生的直流電為交流電,優(yōu)化能量轉換效率。

4. **不間斷電源(UPS)**:
  - 在UPS系統(tǒng)的高壓電池管理和逆變模塊中,這款MOSFET 能夠承受高電壓,同時保持低導通損耗,從而提高整體系統(tǒng)的效率和可靠性。

總的來說,IPP65R380C6-VB 的高電壓耐受性、低導通電阻以及較大的電流處理能力使其成為電源轉換、電機驅(qū)動、光伏逆變以及UPS系統(tǒng)等高壓、高效能應用的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    517瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    439瀏覽量