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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP65R600C6-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP65R600C6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 700V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 600mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介  
**IPP65R600C6-VB** 是一款高壓單N溝道MOSFET,封裝為TO220,適用于需要高電壓和高可靠性的電力電子應(yīng)用。該MOSFET具有700V的漏源電壓(VDS)和±30V的柵源電壓(VGS)承受能力,采用超級結(jié)多層外延(SJ_Multi-EPI)技術(shù),提供良好的開關(guān)性能和穩(wěn)定性。其導(dǎo)通電阻為600mΩ(在VGS為10V時),能夠處理最高10A的漏極電流。此型號特別適合應(yīng)用于高壓開關(guān)電源和逆變器等高功率場合,具有出色的耐壓性能和良好的功率處理能力。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明  
- **封裝**:TO220  
- **配置**:單N溝道  
- **漏源電壓(VDS)**:700V  
- **柵源電壓(VGS)**:±30V  
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:600mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流(ID)**:10A  
- **技術(shù)**:超級結(jié)多層外延(SJ_Multi-EPI)  
- **最大功率耗散**:根據(jù)具體的散熱條件,TO220封裝通常能承受較高的功率處理能力。  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊  
1. **開關(guān)電源(SMPS)**  
  IPP65R600C6-VB 適用于高壓開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用,特別是在需要高電壓保護(hù)和穩(wěn)定開關(guān)性能的場合。由于其700V的高漏源電壓能力,該MOSFET適合用于高功率開關(guān)電源,如電源適配器和工業(yè)電源模塊,有助于提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

2. **逆變器系統(tǒng)**  
  在逆變器系統(tǒng)中,特別是用于太陽能逆變器和電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)的逆變器,IPP65R600C6-VB 提供了可靠的高壓開關(guān)性能。其高電壓承受能力和適中的導(dǎo)通電阻使其在中到高功率逆變器中表現(xiàn)出色,有助于實(shí)現(xiàn)高效的AC-DC和DC-AC轉(zhuǎn)換。

3. **功率控制模塊**  
  該MOSFET適用于各種功率控制模塊,包括電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)和工業(yè)電源模塊。在這些應(yīng)用中,其高電壓耐受能力和良好的開關(guān)性能使其能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。

4. **高壓照明系統(tǒng)**  
  IPP65R600C6-VB 也適用于高壓照明系統(tǒng),如高功率LED驅(qū)動器和HID照明系統(tǒng)。雖然其導(dǎo)通電阻相對較高,但在需要處理高電壓的照明控制應(yīng)用中,這款MOSFET能夠提供可靠的性能和穩(wěn)定的工作條件。

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