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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP65R600E6-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP65R600E6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 700V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 600mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP65R600E6-VB 產(chǎn)品簡介

IPP65R600E6-VB 是一款采用 TO220 封裝的單通道 N 型 MOSFET,專為高壓應(yīng)用設(shè)計。它具有 700V 的漏源極電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源極電壓 (VGS),在高電壓環(huán)境下能夠穩(wěn)定工作。該 MOSFET 的開啟電壓 (Vth) 為 3.5V,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 600mΩ,適用于需要高耐壓和中等導(dǎo)通損耗的應(yīng)用。其最大漏極電流 (ID) 為 10A,采用了超結(jié) (Super Junction) 多重 EPI 技術(shù),這使得它在處理高功率和高電壓應(yīng)用時具有優(yōu)異的性能,尤其適用于需要高耐壓的電源模塊和轉(zhuǎn)換器。

### 二、IPP65R600E6-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

1. **封裝類型**:TO220
2. **配置**:單通道 N 型 MOSFET
3. **漏源極電壓 (VDS)**:700V
4. **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
5. **開啟電壓 (Vth)**:3.5V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:600mΩ @ VGS = 10V
7. **最大漏極電流 (ID)**:10A
8. **技術(shù)類型**:超結(jié) (Super Junction) 多重 EPI 技術(shù)
9. **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C
10. **熱阻**:典型值 1.1°C/W (結(jié)殼)
11. **功率耗散**:典型值 50W
12. **封裝尺寸**:TO220 外形尺寸,適合通過孔焊接或散熱器安裝

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高壓開關(guān)電源 (SMPS)**:IPP65R600E6-VB 非常適用于高壓開關(guān)模式電源中,特別是那些需要處理高電壓輸入的應(yīng)用,如工業(yè)電源和電力轉(zhuǎn)換模塊。其高耐壓特性確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。

2. **太陽能逆變器**:在太陽能逆變器中,IPP65R600E6-VB 可用于處理高電壓直流電源部分。高達(dá) 700V 的耐壓能力使其適合于太陽能光伏系統(tǒng)中的高電壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

3. **電動汽車 (EV) 充電器**:該 MOSFET 可用于電動汽車充電器的高電壓部分,盡管其導(dǎo)通電阻較高,但其高電壓耐受能力使其適合于充電樁中的高壓電源控制。

4. **逆變器與變頻器**:在風(fēng)能發(fā)電設(shè)備或工業(yè)變頻器中,IPP65R600E6-VB 提供了所需的高電壓耐受能力和開關(guān)性能,適合用于高電壓應(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換。

5. **高壓照明**:該 MOSFET 也適用于高壓照明控制模塊,例如 HID 照明系統(tǒng)中的高電壓開關(guān)部分,能夠處理較高的電壓和功率需求。

總之,IPP65R600E6-VB 以其高電壓耐受能力和良好的開關(guān)性能,適合在需要高電壓處理的電源模塊、逆變器、充電器以及高壓照明系統(tǒng)中應(yīng)用。

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