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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP70N10S3L-12-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP70N10S3L-12-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 9mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡介:**
IPP70N10S3L-12-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù),封裝類型為TO220。這款MOSFET具有高達(dá)100V的漏源極電壓(VDS)和±20V的柵源極電壓(VGS),適合于需要高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用。其開啟電壓(Vth)為2.5V,使其在低柵源極電壓下即可開啟。低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為9mΩ(@VGS=10V)和20mΩ(@VGS=4.5V)確保了在高電流下的低功率損耗,最大漏極電流(ID)為100A。這些特性使得IPP70N10S3L-12-VB 在高效開關(guān)和電流處理方面表現(xiàn)優(yōu)異。

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **封裝類型**:TO220
- **溝道類型**:單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:100V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **開啟電壓 (Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 20mΩ @ VGS=4.5V
 - 9mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:100A
- **技術(shù)類型**:Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **開關(guān)頻率**:適用于高頻率應(yīng)用

**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:**

1. **電源開關(guān)模塊**:IPP70N10S3L-12-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用作高效開關(guān)電源中的開關(guān)元件,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC電源適配器。這能提高系統(tǒng)效率,減少能量損耗,并改善電源的總體性能。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:該MOSFET 可以在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器中用作高效的開關(guān)元件,尤其是在電機(jī)控制系統(tǒng)中,能夠處理大電流和提供穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電流,確保電動(dòng)機(jī)的高效運(yùn)行。

3. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,IPP70N10S3L-12-VB 可用于電池的充電和放電控制,其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效地進(jìn)行功率管理,提升電池的使用壽命和系統(tǒng)的安全性。

4. **功率放大器**:在功率放大器中,該MOSFET 的高電流能力和低功率損耗特性使其適合用作功率階段開關(guān),能有效驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載并提升整體效率。

5. **照明系統(tǒng)**:尤其是在LED和高強(qiáng)度氣體放電(HID)燈具的控制電路中,IPP70N10S3L-12-VB 可以提供可靠的開關(guān)控制,確保燈具的高效和穩(wěn)定運(yùn)行。

這些應(yīng)用表明,IPP70N10S3L-12-VB 適用于需要高電流處理、低導(dǎo)通電阻和高效率的各種電子和電力模塊。

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