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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP70N10SL-16-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP70N10SL-16-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 9mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPP70N10SL-16-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPP70N10SL-16-VB 是一款高性能的N溝道MOSFET,封裝形式為T(mén)O220。該MOSFET 具有高漏源極電壓(VDS)100V 和高漏極電流(ID)100A,適用于需要高電流和高開(kāi)關(guān)速度的電路。它采用Trench技術(shù),這種技術(shù)能夠提供更低的導(dǎo)通電阻和更高的開(kāi)關(guān)效率。其低導(dǎo)通電阻和較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓,使得它在各種高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### IPP70N10SL-16-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**:TO220
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:100V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 20mΩ @ VGS=4.5V
 - 9mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:100A
- **技術(shù)類(lèi)型**:Trench技術(shù)
- **其他特點(diǎn)**:
 - 低柵極電荷,提升開(kāi)關(guān)速度
 - 高電流處理能力,適合大功率應(yīng)用
 - 出色的熱性能,支持高功率輸出

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高功率開(kāi)關(guān)電路**:IPP70N10SL-16-VB 適用于需要高電流開(kāi)關(guān)的電路,如電源管理系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)模塊。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻能夠有效減少功率損耗,提升電源轉(zhuǎn)換效率。

2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度使其能夠在高功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中有效地管理電流,減少轉(zhuǎn)換損耗,提高整體系統(tǒng)效率。

3. **電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:該MOSFET 可以用于電動(dòng)汽車(chē)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,以其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,確保電動(dòng)汽車(chē)在加速和重載時(shí)能夠穩(wěn)定運(yùn)行,提升動(dòng)力系統(tǒng)的可靠性和性能。

4. **功率放大器和音頻放大器**:在功率放大器和音頻放大器應(yīng)用中,IPP70N10SL-16-VB 的高電流處理能力和快速開(kāi)關(guān)特性幫助提升信號(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量和效率,減少信號(hào)失真和功率損耗。

這些應(yīng)用展示了IPP70N10SL-16-VB 在高功率、低導(dǎo)通電阻及高開(kāi)關(guān)效率領(lǐng)域中的廣泛適用性,能夠在各種要求嚴(yán)格的電力管理應(yīng)用中提供穩(wěn)定的性能。

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