91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

IPP80N03S4L-04-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP80N03S4L-04-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 3mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP80N03S4L-04-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPP80N03S4L-04-VB 是一款高性能單通道 N 型 MOSFET,采用 TO220 封裝,設(shè)計(jì)用于低電壓和高電流應(yīng)用。其具有 30V 的漏源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源極電壓 (VGS),能夠在低電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。該 MOSFET 的開啟電壓 (Vth) 為 1.7V,表現(xiàn)出良好的低電壓開關(guān)性能。其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 4.5V 時(shí)為 4mΩ,在 VGS 為 10V 時(shí)為 3mΩ,這使得它在高電流應(yīng)用中具有極低的導(dǎo)通損耗。最大漏極電流 (ID) 為 120A,采用了 Trench 技術(shù),確保了優(yōu)良的開關(guān)性能和低熱阻。

### 二、IPP80N03S4L-04-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

1. **封裝類型**:TO220
2. **配置**:?jiǎn)瓮ǖ?N 型 MOSFET
3. **漏源極電壓 (VDS)**:30V
4. **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
5. **開啟電壓 (Vth)**:1.7V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
  - 4mΩ @ VGS = 4.5V
  - 3mΩ @ VGS = 10V
7. **最大漏極電流 (ID)**:120A
8. **技術(shù)類型**:Trench 技術(shù)
9. **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C
10. **熱阻**:典型值 1.1°C/W (結(jié)殼)
11. **功率耗散**:典型值 100W
12. **封裝尺寸**:TO220 外形尺寸,適合通過孔焊接或散熱器安裝

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高效開關(guān)電源 (SMPS)**:IPP80N03S4L-04-VB 在高效開關(guān)電源中非常適合,特別是那些需要處理高電流的低電壓部分。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力有助于提高電源的效率,減少功耗,并改善系統(tǒng)的整體性能。

2. **電動(dòng)汽車 (EV) 電池管理系統(tǒng)**:在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 適用于高電流電池開關(guān)控制。其低導(dǎo)通電阻可降低功耗,延長(zhǎng)電池壽命,并提高系統(tǒng)的整體效率。

3. **電流保護(hù)電路**:由于其能夠處理高電流和具有低導(dǎo)通電阻,IPP80N03S4L-04-VB 適合用于電流保護(hù)電路中,有效地提供過流保護(hù)并降低電流流通的熱損耗。

4. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,IPP80N03S4L-04-VB 可以用作開關(guān)元件。其極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力有助于提高轉(zhuǎn)換器的效率,特別是在低電壓、大電流的應(yīng)用場(chǎng)景中。

5. **功率放大器**:在音頻功率放大器和其他高功率應(yīng)用中,該 MOSFET 能夠提供必要的高電流和低導(dǎo)通損耗,確保放大器的穩(wěn)定性和高效能。

總之,IPP80N03S4L-04-VB 以其低電壓、高電流能力和低導(dǎo)通電阻,在高效開關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)、電流保護(hù)電路、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及功率放大器等應(yīng)用中表現(xiàn)出色,適合用于要求高效能和低功耗的場(chǎng)合。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    502瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    422瀏覽量