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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP80P03P4L-04-VB一款TO220封裝P-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP80P03P4L-04-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-P-Channel
  • VDS -30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -3V
  • RDS(ON) 4mΩ@VGS=10V
  • ID -100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP80P03P4L-04-VB 產(chǎn)品簡介
IPP80P03P4L-04-VB 是一種高性能單P溝道功率MOSFET,采用 TO220 封裝,專為低電壓、高電流應(yīng)用設(shè)計。此器件使用了 Trench 技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力。其漏源極電壓最大為-30V,適用于需要高效能開關(guān)的場合。由于其高導(dǎo)通能力和低功耗特性,該 MOSFET 能在多種電源和功率管理應(yīng)用中提供卓越的性能。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220  
- **配置**:單P溝道  
- **漏源極電壓 (VDS)**:-30V  
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:-3V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:5mΩ @ VGS = 4.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:4mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**:-100A  
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C  
- **功耗 (Ptot)**:150W(在25°C時)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:IPP80P03P4L-04-VB 適用于高效能的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,特別是在要求高電流和低導(dǎo)通電阻的電源模塊中。它能夠顯著減少能量損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,并在高功率條件下穩(wěn)定運行。

2. **電動汽車電源管理**:在電動汽車的電源管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻非常適合用于電池管理和電機(jī)驅(qū)動電路中,幫助實現(xiàn)更高效的功率控制和更長的電池壽命。

3. **高效能開關(guān)電路**:IPP80P03P4L-04-VB 在高效能開關(guān)電路中表現(xiàn)優(yōu)異,包括負(fù)載開關(guān)和開關(guān)電源的控制電路。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功耗,提升系統(tǒng)整體效率。

4. **過壓保護(hù)和負(fù)載控制**:該 MOSFET 也適用于過壓保護(hù)和負(fù)載控制應(yīng)用中,例如電源過壓保護(hù)電路中,能夠在電壓異常時快速斷開電路,保護(hù)其他電子元件的安全。

這些應(yīng)用示例展示了 IPP80P03P4L-04-VB 在低電壓、高電流應(yīng)用中的廣泛適用性,其出色的功率管理能力使其成為各種高效能電子系統(tǒng)的理想選擇。

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