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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP80P04P4-07-VB一款TO220封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP80P04P4-07-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-P-Channel
  • VDS -40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -3V
  • RDS(ON) 4mΩ@VGS=10V
  • ID -110A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介  
**IPP80P04P4-07-VB** 是一款高性能單P溝道MOSFET,封裝為TO220,專為需要高電流和高開關(guān)頻率的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET具備-40V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS)承受能力。其基于Trench技術(shù),以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的開關(guān)性能。具體導(dǎo)通電阻為4.8mΩ(在VGS為4.5V時(shí))和4mΩ(在VGS為10V時(shí)),能夠處理最高-110A的漏極電流。這使得IPP80P04P4-07-VB特別適合用于高電流的功率開關(guān)和逆變器應(yīng)用,確保高效能和穩(wěn)定性。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明  
- **封裝**:TO220  
- **配置**:?jiǎn)蜳溝道  
- **漏源電壓(VDS)**:-40V  
- **柵源電壓(VGS)**:±20V  
- **閾值電壓(Vth)**:-3V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 4.8mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 4mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流(ID)**:-110A  
- **技術(shù)**:Trench  
- **最大功率耗散**:依賴于具體的散熱條件,TO220封裝通常能承受較高的功率處理能力。  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊  
1. **高效開關(guān)電源(SMPS)**  
  IPP80P04P4-07-VB 適用于高效開關(guān)模式電源(SMPS),尤其是在需要高電流和低導(dǎo)通電阻的場(chǎng)合。其低RDS(ON)和高電流處理能力使其在電源轉(zhuǎn)換器和電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,如計(jì)算機(jī)電源、服務(wù)器電源以及工業(yè)電源模塊。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**  
  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,這款MOSFET能有效控制大電流,提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。特別是在電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中,IPP80P04P4-07-VB的高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保了高效能和可靠性。

3. **逆變器和電池管理系統(tǒng)**  
  IPP80P04P4-07-VB 也適合用于逆變器和電池管理系統(tǒng)中,包括太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車的電池管理模塊。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在需要高功率和高效能的場(chǎng)景中表現(xiàn)優(yōu)異。

4. **消費(fèi)電子和電源開關(guān)**  
  該MOSFET適用于高功率消費(fèi)電子設(shè)備的功率開關(guān)應(yīng)用,例如高效能電池充電器和高功率LED驅(qū)動(dòng)器。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保設(shè)備的高性能和長(zhǎng)壽命,同時(shí)能在緊湊的封裝中實(shí)現(xiàn)高效能和穩(wěn)定性。

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