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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPP80P04P4L-08-VB一款TO220封裝P-Channel場效應MOS管

型號: IPP80P04P4L-08-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-P-Channel
  • VDS -40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -3V
  • RDS(ON) 4mΩ@VGS=10V
  • ID -110A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、IPP80P04P4L-08-VB 產品簡介
IPP80P04P4L-08-VB 是一款P溝道功率MOSFET,封裝為TO-220,采用Trench技術制造。這款MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為-40V,適用于負電壓環(huán)境。其導通電阻(RDS(ON))在VGS=4.5V時為4.8mΩ,在VGS=10V時為4mΩ,具有極低的導通電阻,可以處理高達-110A的漏極電流(ID)。這些特性使得IPP80P04P4L-08-VB 在需要高電流和低導通電阻的負電壓應用中表現優(yōu)異。

### 二、IPP80P04P4L-08-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO-220  
- **溝道配置**:單P溝道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**:-40V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:-3V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:4.8mΩ @ VGS=4.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:4mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:-110A  
- **功耗**:取決于實際散熱條件  
- **工作溫度范圍**:寬廣的工作溫度范圍,具體依實際應用而定  
- **技術**:Trench  

### 三、IPP80P04P4L-08-VB 應用領域和模塊
1. **DC-DC轉換器**:IPP80P04P4L-08-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于DC-DC轉換器中的開關元件。在轉換器中,它可以高效地處理負電壓,提升轉換效率并減少功率損耗。

2. **電機驅動**:在電機驅動應用中,尤其是需要處理負電壓的場合,該MOSFET 提供了高電流和低導通電阻,有助于提升電機驅動系統(tǒng)的整體性能,減少功耗和發(fā)熱。

3. **功率管理系統(tǒng)**:IPP80P04P4L-08-VB 適用于各種功率管理系統(tǒng),如負電壓電池管理和負電壓不間斷電源(UPS)。其高電流能力和低導通電阻確保了系統(tǒng)在高負載條件下的穩(wěn)定性和可靠性。

4. **高功率開關**:在需要高功率開關的應用場景中,如高功率電源模塊和電源分配系統(tǒng),IPP80P04P4L-08-VB 提供了極低的導通電阻和高電流處理能力,能夠有效提升開關性能和整體系統(tǒng)效率。

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