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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP90N06S4L-04-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP90N06S4L-04-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 3mΩ@VGS=10V
  • ID 210A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
IPP90N06S4L-04-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù),封裝類(lèi)型為T(mén)O220。該MOSFET 具有高達(dá)60V的漏源極電壓(VDS)和±20V的柵源極電壓(VGS),適合用于中等電壓的開(kāi)關(guān)和電源管理應(yīng)用。其開(kāi)啟電壓(Vth)為3V,能夠在較低的柵源極電壓下開(kāi)啟。低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為3mΩ(@VGS=10V)和9mΩ(@VGS=4.5V),確保在高電流下的低功率損耗,最大漏極電流(ID)為210A。這些特性使IPP90N06S4L-04-VB 在需要高電流處理能力和高效開(kāi)關(guān)的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
- **封裝類(lèi)型**:TO220
- **溝道類(lèi)型**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:60V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **開(kāi)啟電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 3mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:210A
- **技術(shù)類(lèi)型**:Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **開(kāi)關(guān)頻率**:適用于高頻率應(yīng)用

**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:**

1. **高效開(kāi)關(guān)電源**:IPP90N06S4L-04-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于高效開(kāi)關(guān)電源模塊,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC適配器。這能有效提高電源轉(zhuǎn)換效率,減少功率損耗,優(yōu)化系統(tǒng)性能。

2. **電動(dòng)機(jī)控制**:在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該MOSFET 可以用于高電流的電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保在電動(dòng)機(jī)啟動(dòng)、運(yùn)行和停止過(guò)程中提供穩(wěn)定的控制,提升電動(dòng)機(jī)的性能和可靠性。

3. **電池管理系統(tǒng)**:IPP90N06S4L-04-VB 適用于電池管理系統(tǒng)中,特別是在高功率電池的充電和放電控制中。其高電流處理能力和低功耗特性有助于管理電池的充放電過(guò)程,提高電池的使用壽命和安全性。

4. **功率放大器**:在高功率放大器設(shè)計(jì)中,該MOSFET 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其適合作為功率開(kāi)關(guān)元件。能夠處理大功率負(fù)載,提供穩(wěn)定可靠的功率輸出。

5. **LED驅(qū)動(dòng)器**:由于其高電流能力和低功率損耗,IPP90N06S4L-04-VB 也適用于LED驅(qū)動(dòng)電路,特別是在高功率LED照明應(yīng)用中。其高效開(kāi)關(guān)能力能夠確保LED的穩(wěn)定亮度和長(zhǎng)壽命。

這些應(yīng)用展示了IPP90N06S4L-04-VB 在要求高電流、高效率和可靠性的各種電子和電力模塊中的廣泛適用性。

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