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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP90R1K0C3-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP90R1K0C3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 900V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 750mΩ@VGS=10V
  • ID 9A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPP90R1K0C3-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPP90R1K0C3-VB 是一款高耐壓N溝道MOSFET,封裝形式為TO220。該MOSFET 專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì),具有900V的漏源極電壓(VDS),能夠處理高電壓環(huán)境下的開關(guān)操作。它采用SJ(超結(jié))多重外延技術(shù)(SJ_Multi-EPI),提供較高的電流處理能力和較低的導(dǎo)通電阻。該MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和高電壓耐受能力使其在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### IPP90R1K0C3-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:900V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:750mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:9A
- **技術(shù)類型**:SJ_Multi-EPI 超結(jié)多重外延技術(shù)
- **其他特點(diǎn)**:
 - 適用于高電壓環(huán)境
 - 高電流處理能力,支持大功率應(yīng)用
 - 優(yōu)異的熱性能,能夠在高電流條件下穩(wěn)定工作

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:IPP90R1K0C3-VB 適用于高壓電源轉(zhuǎn)換器,如AC-DC轉(zhuǎn)換器和高壓直流電源模塊。其900V的漏源極電壓使其能夠處理高電壓輸入,同時(shí)其低導(dǎo)通電阻有助于提升電源轉(zhuǎn)換效率,減少功率損耗。

2. **電力逆變器**:在高電壓電力逆變器中,該MOSFET 可用于處理高壓直流輸入和高電壓輸出,適用于太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)能逆變器等應(yīng)用。其高電壓耐受能力和穩(wěn)定的開關(guān)性能有助于確保逆變器的可靠性和效率。

3. **高壓開關(guān)電路**:在需要處理高電壓開關(guān)的電路中,IPP90R1K0C3-VB 提供了可靠的開關(guān)性能和高電壓耐受能力。適用于高壓開關(guān)電源、工業(yè)電源管理和電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)中的開關(guān)操作。

4. **高壓功率放大器**:該MOSFET 也適用于高壓功率放大器,例如用于通信和廣播領(lǐng)域的放大器。其高電壓處理能力能夠支持大功率信號(hào)的放大,確保系統(tǒng)在高電壓條件下穩(wěn)定運(yùn)行。

這些應(yīng)用場(chǎng)景展示了IPP90R1K0C3-VB 在高電壓、高功率領(lǐng)域中的廣泛適用性和優(yōu)異性能,特別是在需要高電壓耐受和高效開關(guān)的環(huán)境中。

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