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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP90R800C3-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP90R800C3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 900V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 580mΩ@VGS=10V
  • ID 11A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介  
**IPP90R800C3-VB** 是一款單N溝道MOSFET,封裝為T(mén)O220,設(shè)計(jì)用于高電壓和高功率應(yīng)用。其漏源電壓(VDS)高達(dá)900V,柵源電壓(VGS)為±30V,適合在高壓系統(tǒng)中工作。該器件采用了超級(jí)結(jié)(SJ)多重外延(Multi-EPI)技術(shù),有效降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,提升能效。其導(dǎo)通電阻為580mΩ(在VGS為10V時(shí)),可承受最高11A的漏極電流,使得該器件非常適合用于高壓功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明  
- **封裝**:TO220  
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道  
- **漏源電壓(VDS)**:900V  
- **柵源電壓(VGS)**:±30V  
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:580mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流(ID)**:11A  
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI  
- **最大功率耗散**:取決于散熱設(shè)計(jì),TO220封裝允許高功率處理  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊  
1. **高壓開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**  
  IPP90R800C3-VB 非常適合用于高壓開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),如工業(yè)設(shè)備、通信設(shè)備電源等。其900V的高電壓承受能力以及低導(dǎo)通損耗使其在高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)卓越,特別適用于電網(wǎng)級(jí)功率轉(zhuǎn)換和大功率工業(yè)電源。

2. **照明系統(tǒng)與電源驅(qū)動(dòng)**  
  在高壓照明系統(tǒng)中,IPP90R800C3-VB 的高耐壓特性確保其能安全可靠地工作于LED驅(qū)動(dòng)器、節(jié)能燈具等場(chǎng)景,提供穩(wěn)定的功率輸出,同時(shí)減少功率損耗,延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命。

3. **電力逆變器和變頻器**  
  該MOSFET可應(yīng)用于電力逆變器和變頻器中,尤其是用于太陽(yáng)能逆變器、風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)以及不間斷電源(UPS)等需要高電壓和高功率的場(chǎng)景。它的低RDS(ON)和較高的電流處理能力幫助優(yōu)化系統(tǒng)效率和功率密度。

4. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**  
  IPP90R800C3-VB 的高耐壓和穩(wěn)定性使其在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別是在需要高壓驅(qū)動(dòng)的工業(yè)電機(jī)和風(fēng)機(jī)系統(tǒng)中,確保低損耗、高效率的運(yùn)行。

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