--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO247
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 500V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.8V
- RDS(ON) 80mΩ@VGS=10V
- ID 40A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**IPW50R199CP-VB** 是一款高性能單N溝道MOSFET,封裝為TO247,設(shè)計(jì)用于高電壓和高電流應(yīng)用。該MOSFET具有500V的漏源電壓(VDS)和±30V的柵源電壓(VGS)承受能力,采用超級(jí)結(jié)(SJ)多層外延(Multi-EPI)技術(shù),優(yōu)化了導(dǎo)通電阻和開關(guān)性能。其導(dǎo)通電阻為80mΩ(在VGS為10V時(shí)),能夠處理最高40A的漏極電流。這使得該型號(hào)非常適合用于高壓電源、功率轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)景,能夠在高功率環(huán)境中提供優(yōu)異的性能和可靠性。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝**:TO247
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓(VDS)**:500V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.8V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:80mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:40A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI
- **最大功率耗散**:TO247封裝設(shè)計(jì)支持高功率處理能力,具體取決于散熱設(shè)計(jì)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **高壓開關(guān)電源(SMPS)**
IPW50R199CP-VB 非常適用于高壓開關(guān)模式電源(SMPS),如計(jì)算機(jī)電源、服務(wù)器電源和工業(yè)電源模塊。其500V的高耐壓特性和低導(dǎo)通電阻使其在高效電源轉(zhuǎn)換和高功率處理應(yīng)用中表現(xiàn)出色,確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的系統(tǒng)運(yùn)行。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該MOSFET能夠處理較高的電流和電壓,適合用于電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具以及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保了高效能和穩(wěn)定性,幫助優(yōu)化電機(jī)的性能和功率輸出。
3. **逆變器和電源管理**
IPW50R199CP-VB 也適合用于逆變器和電源管理系統(tǒng)中,包括太陽(yáng)能逆變器、風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)和不間斷電源(UPS)。其500V的高電壓承受能力和優(yōu)良的開關(guān)性能使其在這些高功率和高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)秀,提高了系統(tǒng)的可靠性和效率。
4. **電力電子控制**
該MOSFET在各種電力電子控制模塊中也表現(xiàn)出色,如電源調(diào)節(jié)器和負(fù)載開關(guān)。其高電流和高電壓特性使其適用于需要穩(wěn)定開關(guān)性能的場(chǎng)景,幫助實(shí)現(xiàn)精確的電力控制和管理。
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