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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPW50R250CP-VB一款TO247封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPW50R250CP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 500V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.8V
  • RDS(ON) 80mΩ@VGS=10V
  • ID 40A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPW50R250CP-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPW50R250CP-VB 是一款高性能單通道 N 型 MOSFET,采用 TO247 封裝,設(shè)計(jì)用于高電壓和高電流應(yīng)用。它具有 500V 的漏源極電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源極電壓 (VGS),能夠在高電壓環(huán)境中穩(wěn)定工作。該 MOSFET 的開啟電壓 (Vth) 為 3.8V,其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 10V 時(shí)為 80mΩ,能夠在高電流應(yīng)用中提供可靠的導(dǎo)電性能。最大漏極電流 (ID) 為 40A,采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù),確保了優(yōu)異的開關(guān)性能和低熱阻,非常適合用于高功率密度的應(yīng)用。

### 二、IPW50R250CP-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

1. **封裝類型**:TO247
2. **配置**:?jiǎn)瓮ǖ?N 型 MOSFET
3. **漏源極電壓 (VDS)**:500V
4. **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
5. **開啟電壓 (Vth)**:3.8V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
  - 80mΩ @ VGS = 10V
7. **最大漏極電流 (ID)**:40A
8. **技術(shù)類型**:SJ_Multi-EPI 技術(shù)
9. **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C
10. **熱阻**:典型值 1.1°C/W (結(jié)殼)
11. **功率耗散**:典型值 100W
12. **封裝尺寸**:TO247 封裝,適合通過孔焊接或散熱器安裝

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **開關(guān)電源 (SMPS)**:IPW50R250CP-VB 在高壓開關(guān)電源中應(yīng)用廣泛。其高漏源極電壓和適中的導(dǎo)通電阻使其在電源變換中表現(xiàn)優(yōu)異,有助于提高電源的效率和穩(wěn)定性,適合用于工業(yè)和消費(fèi)類電源設(shè)備。

2. **功率逆變器**:在功率逆變器中,尤其是用于太陽能逆變器和電動(dòng)汽車逆變器中,該 MOSFET 能夠處理高電壓和高電流,確保逆變器在高功率下的穩(wěn)定性和效率,其低熱阻有助于提高逆變器的可靠性。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**:IPW50R250CP-VB 適用于高電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)。其高電壓處理能力和高電流能力使其能夠處理電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行過程中的高功率需求,同時(shí)其低導(dǎo)通電阻可以減少功率損耗。

4. **高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:在高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中,該 MOSFET 的高漏源極電壓和較低的導(dǎo)通電阻有助于優(yōu)化轉(zhuǎn)換器的性能,提高轉(zhuǎn)換效率,并降低熱量產(chǎn)生,適合用于電力電子和通信設(shè)備中。

5. **功率放大器**:在需要處理高功率的功率放大器應(yīng)用中,IPW50R250CP-VB 的高電壓和高電流能力使其能夠穩(wěn)定工作并提供高效的功率放大,適合用于廣播和音頻設(shè)備中。

總之,IPW50R250CP-VB 以其高電壓、高電流能力和適中的導(dǎo)通電阻,廣泛適用于開關(guān)電源、功率逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及功率放大器等領(lǐng)域,其 SJ_Multi-EPI 技術(shù)確保了在高功率密度和高效能需求下的優(yōu)異表現(xiàn)。

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