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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPW50R350CP-VB一款TO247封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPW50R350CP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 500V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.8V
  • RDS(ON) 80mΩ@VGS=10V
  • ID 40A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPW50R350CP-VB 產(chǎn)品簡介
IPW50R350CP-VB 是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-247封裝,基于Super Junction(SJ)多重外延(Multi-EPI)技術(shù)制造。這款MOSFET 具有500V的最大漏源電壓(VDS),適用于高電壓功率應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為80mΩ(在VGS=10V下),能夠承載高達(dá)40A的漏極電流(ID)。這種高電壓耐受能力和合理的導(dǎo)通電阻使其在高功率、高電壓的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

### 二、IPW50R350CP-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO-247  
- **溝道配置**:單N溝道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**:500V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.8V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:80mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:40A  
- **功耗**:取決于散熱條件和具體應(yīng)用  
- **工作溫度范圍**:根據(jù)實際應(yīng)用和環(huán)境條件決定  
- **技術(shù)**:Super Junction(SJ)多重外延(Multi-EPI)  

### 三、IPW50R350CP-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **高壓開關(guān)電源(SMPS)**:IPW50R350CP-VB 的500V耐壓能力使其非常適合用于高壓開關(guān)電源設(shè)計。在開關(guān)電源中,該MOSFET 能夠承受高電壓而保持穩(wěn)定的導(dǎo)通性能,有助于提高電源的效率和可靠性。

2. **逆變器**:在光伏逆變器或其他高功率逆變器中,IPW50R350CP-VB 提供了高電壓和高電流的處理能力。其高耐壓和合理的導(dǎo)通電阻使其能夠有效地處理逆變器中的高電壓開關(guān),提升系統(tǒng)的整體性能。

3. **功率模塊**:在各種功率模塊中,如電源轉(zhuǎn)換器、工業(yè)電源和電力電子設(shè)備,IPW50R350CP-VB 能夠提供高電壓和高電流的開關(guān)能力。這使其在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,適用于需要高耐壓和穩(wěn)定性的電力管理模塊。

4. **電機驅(qū)動**:該MOSFET 也適用于高壓電機驅(qū)動應(yīng)用,特別是在需要處理中高電壓的場合。其高電流承受能力和高電壓耐受能力使其成為高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)的理想選擇,有助于提高系統(tǒng)效率和可靠性。

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