91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

IPW60R075CP-VB一款TO247封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPW60R075CP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 75mΩ@VGS=10V
  • ID 47A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPW60R075CP-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPW60R075CP-VB 是一款高電壓、高電流能力的N溝道功率MOSFET,采用 TO247 封裝。該器件的最大漏源極電壓為650V,設(shè)計(jì)用于處理高電壓應(yīng)用,同時(shí)提供了良好的導(dǎo)通電阻和電流承載能力。其采用SJ_Multi-EPI(超結(jié)多重外延)技術(shù),這使得它在高電壓和高功率條件下具有優(yōu)越的性能。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在高效能電源和開關(guān)電路中表現(xiàn)出色。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**:TO247  
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道  
- **漏源極電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:75mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**:47A  
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI(超結(jié)多重外延技術(shù))  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C  
- **功耗 (Ptot)**:150W(在25°C時(shí))

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
1. **高電壓開關(guān)電源(SMPS)**:IPW60R075CP-VB 適用于高電壓開關(guān)電源,如中到高功率的DC-DC轉(zhuǎn)換器。其高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠有效地控制和轉(zhuǎn)換高電壓電源,提高系統(tǒng)的效率并減少能量損耗。

2. **工業(yè)電源管理**:在工業(yè)電源管理系統(tǒng)中,例如高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源分配系統(tǒng),該MOSFET 提供了穩(wěn)定的高電流和高電壓控制能力。它在這些應(yīng)用中能夠高效處理電流,并保護(hù)系統(tǒng)免受過(guò)電壓的影響。

3. **高壓逆變器**:IPW60R075CP-VB 也非常適合用于高壓逆變器系統(tǒng),例如太陽(yáng)能逆變器或風(fēng)能逆變器。它能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,并確保電能的高效轉(zhuǎn)換,支持可再生能源的有效利用。

4. **功率控制模塊**:在各種功率控制模塊中,例如高壓負(fù)載開關(guān)和過(guò)壓保護(hù)電路,該MOSFET能夠提供所需的高電壓控制能力。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功耗并提升整體系統(tǒng)效率。

這些應(yīng)用示例表明,IPW60R075CP-VB 在處理高電壓和高功率需求的應(yīng)用中具有廣泛的適用性,其優(yōu)秀的性能和可靠性使其成為各種高電壓功率管理和開關(guān)應(yīng)用中的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    501瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    421瀏覽量