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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPW60R125CP-VB一款TO247封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPW60R125CP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 75mΩ@VGS=10V
  • ID 47A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

IPW60R125CP-VB 是一款高壓單 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO247,專為需要高功率和高效率的應用設計。該器件采用 SJ_Multi-EPI 技術,具有 650V 的高漏源電壓 (VDS),可處理高達 47A 的漏極電流 (ID),并且在 VGS=10V 時的導通電阻 (RDS(ON)) 為 75mΩ。其柵源電壓 (VGS) 范圍為 ±30V,支持更寬范圍的控制電壓。這款 MOSFET 適合于多種高壓開關電源轉換器、逆變器和工業(yè)電源模塊,能夠提供低損耗和高效的開關性能,尤其適合于工業(yè)級和高壓電源控制應用。

二、詳細參數(shù)說明:
封裝類型:TO247
溝道類型:單一 N 溝道
VDS(漏源電壓):650V
VGS(柵源電壓):±30V
Vth(閾值電壓):3.5V
RDS(ON)(導通電阻):75mΩ @ VGS = 10V
ID(漏極電流):47A
技術:SJ_Multi-EPI 技術
Qg(總柵電荷):250 nC
熱阻:Rth(j-c) = 0.42°C/W
導通延遲時間:80 ns
上升時間:100 ns
關斷延遲時間:85 ns
下降時間:65 ns
工作溫度范圍:-55°C 至 150°C
Ptot(最大功耗):350W
三、適用領域和模塊舉例:
開關模式電源 (SMPS):IPW60R125CP-VB 非常適合用于開關模式電源中的高壓轉換部分。其 650V 的漏源電壓使其能夠在高壓輸入條件下高效工作,同時低導通電阻減少了能量損耗,提高了整個系統(tǒng)的轉換效率。

光伏逆變器:在光伏系統(tǒng)的逆變器模塊中,該 MOSFET 可用于將直流電轉換為交流電,特別適合高壓太陽能電池板系統(tǒng)。它的高耐壓和低功耗特性能夠有效提高光伏系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

電動汽車充電站:在電動汽車快速充電樁中,IPW60R125CP-VB 可以用于高壓轉換和電源管理模塊,能夠處理高電流和高電壓輸入,確保充電系統(tǒng)的高效和安全性。

工業(yè)電源和控制系統(tǒng):該器件在工業(yè)自動化設備中的電源管理模塊也表現(xiàn)出色,能夠高效處理高電壓電流的轉換,并且其耐高溫性能使其能夠在惡劣的工業(yè)環(huán)境中保持穩(wěn)定工作。

功率放大器:IPW60R125CP-VB 也適用于 RF 功率放大器等高功率應用,能夠在高頻、高壓條件下穩(wěn)定工作,確保信號傳輸過程中的低損耗和高效能量轉換。

伺服電機驅動器:在高壓伺服電機控制模塊中,IPW60R125CP-VB 可以處理高功率要求,支持高效能量轉換和精確的電機控制,適合用于精密工業(yè)控制和自動化生產系統(tǒng)。

總之,IPW60R125CP-VB 是在需要高壓處理、高效率和低能耗的各種高功率應用中的理想選擇,適用于電源轉換、工業(yè)控制、電動汽車以及光伏發(fā)電等領域。

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