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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPW60R160C6-VB一款TO247封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPW60R160C6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 75mΩ@VGS=10V
  • ID 47A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPW60R160C6-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPW60R160C6-VB 是一款高性能N溝道功率MOSFET,采用TO-247封裝,基于Super Junction(SJ)多重外延(Multi-EPI)技術(shù)。這款MOSFET 設(shè)計(jì)用于處理高達(dá)650V的漏源電壓(VDS),并具有高達(dá)47A的漏極電流(ID),適用于高電壓和高功率密度應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為75mΩ(在VGS=10V下),使其在高效能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中具有極佳的開(kāi)關(guān)性能和較低的功率損耗。

### 二、IPW60R160C6-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**:TO-247  
- **溝道配置**:?jiǎn)蜰溝道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:75mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:47A  
- **功耗**:取決于散熱系統(tǒng)和應(yīng)用  
- **工作溫度范圍**:具體取決于應(yīng)用環(huán)境  
- **技術(shù)**:Super Junction(SJ)多重外延(Multi-EPI)  

### 三、IPW60R160C6-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電動(dòng)汽車充電樁**:IPW60R160C6-VB 非常適合用于電動(dòng)汽車高壓充電系統(tǒng)中。其650V的高耐壓和較低的導(dǎo)通電阻使得它在充電模塊中能夠高效地進(jìn)行電能轉(zhuǎn)換,減少系統(tǒng)損耗,提升整體充電效率。

2. **光伏逆變器**:在光伏發(fā)電系統(tǒng)中的逆變器模塊,IPW60R160C6-VB 能夠處理高電壓并保持高效的轉(zhuǎn)換性能。這種器件的高耐壓特性和低損耗特點(diǎn)有助于提高光伏系統(tǒng)的發(fā)電效率,特別是大功率應(yīng)用中的逆變器設(shè)計(jì)。

3. **工業(yè)電源供應(yīng)器**:在工業(yè)電源和功率轉(zhuǎn)換設(shè)備中,IPW60R160C6-VB 適用于高壓、高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景。其650V耐壓和47A電流能力非常適合處理高電壓工業(yè)電源需求,如大功率變壓器或UPS電源中。

4. **電機(jī)控制系統(tǒng)**:這款MOSFET 適用于高電壓電機(jī)控制系統(tǒng),特別是需要快速開(kāi)關(guān)操作的工業(yè)電機(jī)和變頻驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其高效的導(dǎo)通和關(guān)斷性能使得它在提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率方面表現(xiàn)優(yōu)異,同時(shí)減少系統(tǒng)中的能量損耗。

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