91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

IPW60R250CP-VB一款TO247封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPW60R250CP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 160mΩ@VGS=10V
  • ID 20A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPW60R250CP-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPW60R250CP-VB 是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO247封裝,專(zhuān)為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì),最大漏源電壓為650V,能夠處理較高的電壓需求。該器件具備±30V的柵源電壓,閾值電壓為3.5V。其導(dǎo)通電阻為160mΩ@VGS=10V,漏極電流最大為20A。該MOSFET采用超級(jí)結(jié)(Super Junction)多層外延(SJ_Multi-EPI)技術(shù),確保在高壓應(yīng)用中的高效性能和低損耗,特別適用于開(kāi)關(guān)電源、功率轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域,提供卓越的能效和熱管理能力。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**:TO247
- **類(lèi)型**:?jiǎn)蜰溝道
- **VDS** (漏源電壓):650V
- **VGS** (柵源電壓):±30V
- **Vth** (閾值電壓):3.5V
- **RDS(ON)** (導(dǎo)通電阻):160mΩ@VGS=10V
- **ID** (漏極電流):20A
- **技術(shù)**:超級(jí)結(jié) (SJ_Multi-EPI) 技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C

該MOSFET結(jié)合高電壓耐受性和較低的導(dǎo)通電阻,適合用于大功率電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

IPW60R250CP-VB 適用于以下領(lǐng)域:

1. **工業(yè)級(jí)開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**:
  - 該器件在開(kāi)關(guān)模式電源中表現(xiàn)出色,尤其適合處理高電壓輸入和輸出的應(yīng)用場(chǎng)景,如工業(yè)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力確保了高效的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定性。

2. **照明驅(qū)動(dòng)電路**:
  - 適用于高功率LED照明驅(qū)動(dòng)電路,尤其是在需要高電壓控制的應(yīng)用中。IPW60R250CP-VB 能夠提供穩(wěn)定的電流和電壓輸出,確保照明系統(tǒng)的長(zhǎng)時(shí)間可靠運(yùn)行。

3. **不間斷電源(UPS)**:
  - 在UPS系統(tǒng)中,該MOSFET用作逆變器和整流器的核心器件,能夠處理高電壓轉(zhuǎn)換,并提供低損耗和高效率,確保UPS系統(tǒng)的平穩(wěn)運(yùn)行和穩(wěn)定的輸出功率。

4. **電動(dòng)車(chē)充電設(shè)備**:
  - 由于其高電壓承受能力和高效的電流處理能力,該MOSFET非常適合應(yīng)用在電動(dòng)汽車(chē)的充電系統(tǒng)中,能夠高效處理充電過(guò)程中的高電流需求,同時(shí)確保系統(tǒng)的安全性和能效。

IPW60R250CP-VB 的高壓處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在高功率開(kāi)關(guān)電源、照明驅(qū)動(dòng)電路、UPS以及電動(dòng)車(chē)充電設(shè)備等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其出色的效率和耐用性使得它在這些領(lǐng)域中成為理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    495瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    418瀏覽量