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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPW90R1K2C3-VB一款TO247封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPW90R1K2C3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 900V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 750mΩ@VGS=10V
  • ID 9A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPW90R1K2C3-VB 產(chǎn)品簡介
IPW90R1K2C3-VB 是一款高電壓、高功率的N溝道MOSFET,采用 TO247 封裝,設(shè)計用于高電壓應(yīng)用場景。它的最大漏源極電壓為900V,漏極電流為9A,適合處理大功率和高電壓的電源管理任務(wù)。該MOSFET采用SJ_Multi-EPI(超結(jié)多重外延)技術(shù),這種技術(shù)不僅提高了電壓承受能力,還優(yōu)化了導電性能,使其在高功率應(yīng)用中具備良好的效率和可靠性。

### 二、詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO247  
- **配置**:單N溝道  
- **漏源極電壓 (VDS)**:900V  
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:750mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**:9A  
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI(超結(jié)多重外延技術(shù))  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C  
- **功耗 (Ptot)**:75W(在25°C時)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
1. **高壓開關(guān)電源(SMPS)**:IPW90R1K2C3-VB 適用于需要處理高電壓的開關(guān)電源系統(tǒng),例如高電壓的DC-DC轉(zhuǎn)換器。其900V的高電壓耐受能力和較低的導通電阻使其能夠高效地轉(zhuǎn)換電源,減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率。

2. **工業(yè)電源管理**:在工業(yè)電源管理和電機驅(qū)動系統(tǒng)中,該MOSFET 提供了高電壓和高電流的控制能力。它能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運行,并有效管理電流,為工業(yè)設(shè)備提供可靠的電源解決方案。

3. **高壓逆變器**:在太陽能和風能逆變器等高壓逆變器系統(tǒng)中,IPW90R1K2C3-VB 能夠處理900V的高電壓需求,確保從直流到交流的高效轉(zhuǎn)換。它有助于提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和轉(zhuǎn)換效率,支持可再生能源的有效利用。

4. **功率因數(shù)校正 (PFC)**:在功率因數(shù)校正應(yīng)用中,IPW90R1K2C3-VB 能夠高效地管理高電壓負載,提高功率因數(shù)并減少電能損耗。其優(yōu)秀的性能使其在需要高電壓和高功率處理的PFC模塊中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

這些應(yīng)用示例顯示了IPW90R1K2C3-VB 在處理高電壓和高功率應(yīng)用中的重要性。其出色的性能和可靠性使其在電源管理、電機驅(qū)動、高壓逆變器以及功率因數(shù)校正等領(lǐng)域成為理想選擇。

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