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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPW90R800C3-VB一款TO247封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPW90R800C3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 900V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 750mΩ@VGS=10V
  • ID 9A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPW90R800C3-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IPW90R800C3-VB** 是一款高電壓耐受性 MOSFET,采用 TO247 封裝,適用于需要高耐壓和高耐流的應(yīng)用場(chǎng)景。該 MOSFET 是單極 N 通道型,適合用于高壓開(kāi)關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其 SJ_Multi-EPI 技術(shù)提供了良好的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)性能,適合高功率和高頻率的使用環(huán)境。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: IPW90R800C3-VB
- **封裝**: TO247
- **配置**: 單極 N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 900V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 750mΩ (VGS=10V)
- **最大漏極電流 (ID)**: 9A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

**1. 高壓電源轉(zhuǎn)換器**

在高壓電源轉(zhuǎn)換器中,IPW90R800C3-VB 的高耐壓特性使其適用于直流-直流轉(zhuǎn)換器和逆變器,這些應(yīng)用通常需要處理高電壓和高功率。其較低的導(dǎo)通電阻幫助提高系統(tǒng)效率,并減少功耗和熱量。

**2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)**

該 MOSFET 可以用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中,其高漏極電壓和高電流承受能力使其適合于控制大型電機(jī)的啟動(dòng)和運(yùn)行。其高電壓耐受性確保在電機(jī)驅(qū)動(dòng)過(guò)程中對(duì)電源波動(dòng)有較好的適應(yīng)性。

**3. 電力因數(shù)校正(PFC)電路**

在電力因數(shù)校正電路中,IPW90R800C3-VB 的高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性可以提高電路的穩(wěn)定性和效率。這種 MOSFET 能夠在高電壓和高頻率條件下工作,確保 PFC 電路能夠高效地提升電源質(zhì)量。

**4. 高頻開(kāi)關(guān)電源**

由于其較低的導(dǎo)通電阻和較高的耐壓值,該 MOSFET 非常適合用于高頻開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用,例如用于計(jì)算機(jī)電源和通信設(shè)備中。這些應(yīng)用要求 MOSFET 在高頻率下仍能保持穩(wěn)定的性能和低的能量損耗。

這些應(yīng)用示例展示了 IPW90R800C3-VB 在不同領(lǐng)域中的廣泛適用性和重要性,尤其是在需要高電壓和高電流的環(huán)境下。

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