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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IR3702-VB一款DFN8(3X3)封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IR3702-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package DFN8(3X3)
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 3.9mΩ@VGS=10V
  • ID 60A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IR3702-VB 產(chǎn)品簡介

IR3702-VB 是一款采用 DFN8 (3x3) 封裝的單N溝道MOSFET,專為高效能電源管理應(yīng)用設(shè)計(jì)。它的額定擊穿電壓為30V,導(dǎo)通電阻極低,在VGS=10V時僅為3.9mΩ,在VGS=4.5V時為5mΩ,能夠提供高達(dá)60A的連續(xù)電流。由于采用先進(jìn)的Trench技術(shù),該MOSFET具備卓越的開關(guān)性能和低損耗,適合高效率、高功率密度的應(yīng)用場合。

### IR3702-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:DFN8 (3x3)
- **溝道類型**:單N溝道
- **擊穿電壓(VDS)**:30V
- **柵極驅(qū)動電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 5mΩ @ VGS=4.5V
 - 3.9mΩ @ VGS=10V
- **最大連續(xù)漏極電流(ID)**:60A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **功耗**:根據(jù)封裝和散熱情況而定
- **開關(guān)性能**:具有低柵極電荷和快速開關(guān)速度,有助于提高系統(tǒng)效率。

### 適用領(lǐng)域與模塊應(yīng)用舉例

1. **服務(wù)器電源管理**:IR3702-VB 適用于服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心中的高效DC-DC轉(zhuǎn)換器。由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,能夠有效減少熱量產(chǎn)生,提高系統(tǒng)的能效和可靠性。

2. **消費(fèi)電子設(shè)備**:在筆記本電腦、平板電腦和其他便攜式設(shè)備的電源管理模塊中,IR3702-VB 可用于處理高電流負(fù)載,同時降低功耗,延長電池續(xù)航。

3. **汽車電子**:其耐高溫、耐高壓的特性使其適合用于汽車電子中的電源轉(zhuǎn)換模塊,如電動汽車的電池管理系統(tǒng)和車載充電器,確保穩(wěn)定的電力傳輸。

4. **工業(yè)電源應(yīng)用**:適用于工業(yè)級的電源轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓模塊,特別是在需要高效率和高功率密度的應(yīng)用中,IR3702-VB 的低損耗特性能夠滿足這些需求。

通過這些應(yīng)用領(lǐng)域的案例,IR3702-VB 展現(xiàn)了其作為高效能功率器件的廣泛應(yīng)用潛力。

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