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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRC840-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRC840-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 500V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.1V
  • RDS(ON) 660mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介 - IRC840-VB MOSFET

IRC840-VB 是一款封裝為 TO220 的單通道 N 型 MOSFET,專為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最高漏源電壓 (VDS) 達(dá)到 500V,適用于高壓開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 MOSFET 最大柵源電壓 (VGS) 為 ±30V,閾值電壓 (Vth) 為 3.1V。其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 660mΩ @ VGS = 10V,支持最大 13A 的漏極電流。IRC840-VB 采用平面 (Plannar) 技術(shù),能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,廣泛應(yīng)用于電力電子和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單通道 N 型 MOSFET
- **漏源電壓 (VDS)**:500V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.1V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:660mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:13A
- **技術(shù)**:Plannar (平面型)

### 適用領(lǐng)域和模塊的應(yīng)用舉例

1. **高壓電源開關(guān)**:IRC840-VB 可用于高壓電源開關(guān)系統(tǒng)中,例如開關(guān)電源 (SMPS) 或工業(yè)電源的高壓開關(guān),能夠承受高達(dá) 500V 的電壓,確保系統(tǒng)穩(wěn)定可靠。

2. **功率放大器**:在功率放大器電路中,該 MOSFET 能夠處理較高的電壓和電流,適合用于音頻放大器或射頻放大器中,提供穩(wěn)定的開關(guān)和放大性能。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊**:IRC840-VB 適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的高電壓開關(guān),例如用于電動(dòng)機(jī)控制器中,能夠有效地處理電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行中的高電壓要求。

4. **照明控制**:在高壓照明系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于燈具的開關(guān)控制,尤其是在需要高電壓和高功率的照明應(yīng)用中,保證系統(tǒng)的可靠性和效率。

5. **逆變器應(yīng)用**:IRC840-VB 也適用于逆變器電路中,尤其是在太陽能逆變器或其他需要將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的高壓應(yīng)用中,能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。

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