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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF1104L-VB一款TO262封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF1104L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRF1104L-VB 產(chǎn)品簡介

IRF1104L-VB 是一款高性能 N-通道 MOSFET,采用 TO262 封裝。該 MOSFET 能夠承受最高 40V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。其采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),具有非常低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) 為 5mΩ@VGS=10V),并能夠處理高達(dá) 100A 的漏極電流(ID)。IRF1104L-VB 設(shè)計(jì)用于高效能電源開關(guān)和功率管理應(yīng)用,提供優(yōu)異的電流傳輸效率和開關(guān)性能,適合各種高功率需求的場景。

### 二、IRF1104L-VB 參數(shù)說明

- **封裝**: TO262  
- **配置**: 單 N-通道  
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 5mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A  
- **技術(shù)**: 溝槽 (Trench)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理與DC-DC轉(zhuǎn)換器**: IRF1104L-VB 在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,特別適用于高電流 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)。其低導(dǎo)通電阻顯著減少了能量損耗,提高了電源轉(zhuǎn)換效率,適合要求高效率和低熱量的電源設(shè)計(jì)。

2. **電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)**: 在電動汽車和混合動力汽車的電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 提供了高效的功率開關(guān)解決方案。其能夠承受高電流并且低導(dǎo)通電阻,幫助提高電動汽車動力系統(tǒng)的整體性能和穩(wěn)定性。

3. **工業(yè)自動化與電機(jī)驅(qū)動**: IRF1104L-VB 適用于工業(yè)自動化中的高功率電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載控制應(yīng)用。其高電流處理能力和優(yōu)異的開關(guān)性能,使其在處理高負(fù)載和頻繁切換的環(huán)境中表現(xiàn)可靠,有助于提升工業(yè)設(shè)備的效率和耐用性。

4. **通信基礎(chǔ)設(shè)施**: 在通信設(shè)備和基礎(chǔ)設(shè)施中,該 MOSFET 可以用于高功率 RF 放大器和電源管理模塊。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力有助于提升設(shè)備的信號質(zhì)量和整體性能,確保通信系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運(yùn)行。

IRF1104L-VB 以其優(yōu)異的電流處理能力和低功耗特性,適用于各種高功率和高效能的應(yīng)用場景,為電子系統(tǒng)提供可靠的開關(guān)解決方案。

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