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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF1104STRR-VB一款TO263封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF1104STRR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**IRF1104STRR-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET,封裝采用 TO263。該 MOSFET 設(shè)計(jì)用于處理高電流應(yīng)用,具備優(yōu)異的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻,適合用于需要高功率處理和高效率的電子設(shè)備。它使用了 Trench 技術(shù),以提高其電氣性能和可靠性,使其在各種電源管理和開關(guān)控制系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: IRF1104STRR-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單 N-Channel
- **漏極到源極電壓(VDS)**: 40V
- **柵極到源極電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 6mΩ(VGS=4.5V)
 - 5mΩ(VGS=10V)
- **漏極電流(ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

**IRF1104STRR-VB** MOSFET 在多個(gè)高電流和高效率的應(yīng)用中展現(xiàn)出其優(yōu)勢(shì),適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **高功率電源管理**:
  - 由于其低 RDS(ON)(5mΩ@VGS=10V)和高電流承載能力(100A),IRF1104STRR-VB 是高功率電源管理系統(tǒng)的理想選擇。特別是在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器(如 Buck 和 Boost 轉(zhuǎn)換器)中,它能夠提供高效的開關(guān)控制,并降低能量損失。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:
  - 在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,這款 MOSFET 能處理電動(dòng)機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行過程中所需的高電流,其低導(dǎo)通電阻能夠有效地降低功耗,提高驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

3. **功率開關(guān)應(yīng)用**:
  - IRF1104STRR-VB 可用于各種功率開關(guān)應(yīng)用,包括電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)和高功率開關(guān)電路。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在這些應(yīng)用中提供可靠的開關(guān)控制。

4. **電源轉(zhuǎn)換器**:
  - 在電源轉(zhuǎn)換器中,這款 MOSFET 可以有效地降低開關(guān)損耗,提高轉(zhuǎn)換效率。它特別適合用于要求高電流和高效率的轉(zhuǎn)換器模塊,如高功率 LED 驅(qū)動(dòng)和電源適配器。

5. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:
  - IRF1104STRR-VB 也適用于各種工業(yè)控制系統(tǒng)中,如電動(dòng)閥門和加熱器控制。這款 MOSFET 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻確保了工業(yè)設(shè)備的高效和可靠運(yùn)行。

綜合其優(yōu)越的電氣性能和高電流處理能力,IRF1104STRR-VB 是需要高功率和高效率的應(yīng)用中的理想選擇。

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