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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF1302L-VB一款TO262封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF1302L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 4mΩ@VGS=10V
  • ID 90A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF1302L-VB 產(chǎn)品簡介

IRF1302L-VB 是一款采用 TO262 封裝的單N溝道MOSFET,專為高電流、高效率應(yīng)用設(shè)計。它的擊穿電壓為30V,適合中等電壓的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。該MOSFET 的導(dǎo)通電阻非常低,VGS=10V時為4mΩ,VGS=4.5V時為7mΩ,并能夠承載高達90A的連續(xù)電流。IRF1302L-VB 使用了先進的Trench技術(shù),確保了優(yōu)良的開關(guān)性能和低開關(guān)損耗,使其在各種高效能應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### IRF1302L-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO262
- **溝道類型**:單N溝道
- **擊穿電壓(VDS)**:30V
- **柵極驅(qū)動電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 7mΩ @ VGS=4.5V
 - 4mΩ @ VGS=10V
- **最大連續(xù)漏極電流(ID)**:90A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **功耗**:根據(jù)封裝和散熱情況而定
- **開關(guān)性能**:具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度,適合高電流和高功率應(yīng)用。

### 適用領(lǐng)域與模塊應(yīng)用舉例

1. **高效電源管理**:IRF1302L-VB 適用于高效能電源管理系統(tǒng),如高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源模塊。由于其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,可以有效降低功耗,提高電源系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

2. **電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)**:在電動汽車的電機驅(qū)動系統(tǒng)中,IRF1302L-VB 可以作為電流開關(guān)使用。它的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻確保了電動機的高效運行,提升了電動汽車的性能和可靠性。

3. **電力轉(zhuǎn)換和逆變器**:該MOSFET 也適用于電力轉(zhuǎn)換器和逆變器模塊,如太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。其優(yōu)秀的開關(guān)性能和低損耗特性,使其在高功率和高效率應(yīng)用中表現(xiàn)突出。

4. **工業(yè)自動化控制**:在工業(yè)自動化系統(tǒng)中,如電動執(zhí)行器和控制模塊,IRF1302L-VB 可作為高功率開關(guān)。其優(yōu)異的開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻能夠確保在高電流環(huán)境下的穩(wěn)定控制,提高整體系統(tǒng)的性能和效率。

這些應(yīng)用示例展示了IRF1302L-VB 在處理高電流和高功率條件下的卓越性能,使其成為各種電源管理和功率控制應(yīng)用中的理想選擇。

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