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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRF1302-VB一款TO220封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IRF1302-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 140A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRF1302-VB 產(chǎn)品簡介
IRF1302-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝,專為高電流和高效率應用設(shè)計。其漏源電壓 (VDS) 為 30V,柵源電壓 (VGS) 高達 ±20V,具有 1.7V 的閾值電壓 (Vth) 和極低的導通電阻 (RDS(ON))。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù),實現(xiàn)了 2.8mΩ 的導通電阻 @ VGS = 4.5V 和 2mΩ @ VGS = 10V,能夠在 140A 的最大漏極電流下穩(wěn)定工作。IRF1302-VB 是為需要高電流處理和低功耗的應用場合而設(shè)計的高效能開關(guān)器件。

### 二、IRF1302-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單一 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 2.8mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 140A
- **技術(shù)類型**: Trench 技術(shù)

### 三、IRF1302-VB 應用領(lǐng)域和模塊
IRF1302-VB 的高性能特性使其適用于多個領(lǐng)域和模塊:

1. **高效能開關(guān)電源**: 由于其極低的導通電阻和高電流處理能力,IRF1302-VB 非常適合用于高效能開關(guān)電源系統(tǒng),如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器。其高效的開關(guān)性能可以顯著降低能量損耗,提升電源的整體效率。

2. **電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)**: 在電動汽車和混合動力汽車中,IRF1302-VB 可用于電機驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)。其高電流能力和低導通電阻有助于提高驅(qū)動系統(tǒng)的效率和可靠性,同時優(yōu)化電池管理和充電過程。

3. **電力逆變器**: 在電力逆變器應用中,如太陽能光伏系統(tǒng)和其他逆變器設(shè)備,IRF1302-VB 的高電流處理能力和低導通損耗使其能夠有效地管理和轉(zhuǎn)換電力,確保逆變器的高效運行和可靠性。

4. **高功率負載開關(guān)**: IRF1302-VB 可用于各種高功率負載開關(guān)應用,其低導通電阻和高電流處理能力使其能夠穩(wěn)定控制和管理高功率負載,適用于工業(yè)控制和電力分配系統(tǒng)。

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