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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF1310NPBF-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF1310NPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 36mΩ@VGS=10V
  • ID 55A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF1310NPBF-VB 產(chǎn)品簡介
IRF1310NPBF-VB是一款高性能N溝道MOSFET,封裝為TO220,專為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款MOSFET具有100V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),適用于各種電源管理和功率開關(guān)場合。采用先進(jìn)的Trench技術(shù),IRF1310NPBF-VB在4.5V和10V的柵極驅(qū)動(dòng)下,其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))分別為38mΩ和36mΩ,能夠處理高達(dá)55A的漏極電流。IRF1310NPBF-VB的低導(dǎo)通電阻和高耐壓能力使其在需要高電流和高電壓的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### IRF1310NPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 38mΩ @ VGS=4.5V
 - 36mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 55A
- **技術(shù)**: Trench
- **最大耗散功率**: 根據(jù)散熱條件和實(shí)際設(shè)計(jì)
- **工作溫度范圍**: 通常為-55°C至+150°C(具體數(shù)據(jù)需參考數(shù)據(jù)手冊)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理系統(tǒng)**  
IRF1310NPBF-VB的高電壓耐受能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于電源管理系統(tǒng),包括DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)。它能夠在高電壓和高電流條件下提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,從而提升系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

2. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)**  
在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,IRF1310NPBF-VB可以處理高達(dá)55A的電流,并在100V的漏源電壓下穩(wěn)定工作。這使其非常適合用于高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),如電動(dòng)工具、工業(yè)機(jī)器和自動(dòng)化設(shè)備。

3. **高功率開關(guān)**  
由于IRF1310NPBF-VB具有較高的漏源電壓和良好的導(dǎo)通電阻,它可以應(yīng)用于高功率開關(guān)電路,如逆變器和高功率負(fù)載開關(guān)。其高耐壓和低功耗特性使其在高功率開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

4. **汽車電子系統(tǒng)**  
在汽車電子系統(tǒng)中,IRF1310NPBF-VB可以用于電池管理系統(tǒng)和功率調(diào)節(jié)模塊。其高電壓耐受能力和低導(dǎo)通電阻能夠支持汽車中復(fù)雜的電源和驅(qū)動(dòng)需求,提高系統(tǒng)的可靠性和效率。

總的來說,IRF1310NPBF-VB憑借其卓越的電流處理能力和高電壓耐受特性,適用于高功率、高效率和高電壓要求的各種應(yīng)用場景。

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