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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF1310NS-VB一款TO263封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF1310NS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
  • ID 45A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRF1310NS-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRF1310NS-VB 是一款高性能 N-通道 MOSFET,采用 TO263 封裝。該器件設(shè)計(jì)用于處理高電壓和大電流應(yīng)用,能夠承受最高 100V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。IRF1310NS-VB 采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù)制造,具有優(yōu)異的導(dǎo)通性能,其導(dǎo)通電阻(RDS(ON) 為 35mΩ@VGS=4.5V 和 30mΩ@VGS=10V)確保了低功耗和高效能操作。該 MOSFET 可處理高達(dá) 45A 的漏極電流(ID),使其在高功率和高電壓環(huán)境下表現(xiàn)出色,適用于各種高負(fù)載和開關(guān)應(yīng)用。

### 二、IRF1310NS-VB 參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**: TO263  
- **配置**: 單 N-通道  
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 35mΩ @ VGS=4.5V  
 - 30mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 45A  
- **技術(shù)**: 溝槽 (Trench)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理與DC-DC轉(zhuǎn)換器**: IRF1310NS-VB 在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,特別是用于高電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力有助于減少功耗并提高系統(tǒng)效率,適合需要高效能電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。

2. **電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)**: 在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 提供了可靠的高電壓開關(guān)解決方案。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻能夠有效地處理電動(dòng)汽車的動(dòng)力需求,提升車輛的整體性能和可靠性。

3. **工業(yè)自動(dòng)化與電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: IRF1310NS-VB 適用于工業(yè)自動(dòng)化中的高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載控制應(yīng)用。其耐高電壓和高電流的特性使其能夠在重負(fù)載和高頻開關(guān)的環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,提升工業(yè)設(shè)備的效率和耐用性。

4. **通信基礎(chǔ)設(shè)施**: 在通信設(shè)備和數(shù)據(jù)中心中,該 MOSFET 可以用于高功率電源管理模塊和放大器。其低導(dǎo)通電阻和高電壓處理能力有助于提升設(shè)備的信號(hào)質(zhì)量和整體性能,確保通信系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運(yùn)行。

IRF1310NS-VB 憑借其高電壓和高電流處理能力,適用于各種高功率和高效能的應(yīng)用場(chǎng)景,為系統(tǒng)提供穩(wěn)定可靠的開關(guān)解決方案。

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