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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF1404SPBF-VB一款TO263封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF1404SPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 150A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRF1404SPBF-VB 產(chǎn)品簡介
IRF1404SPBF-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO263 封裝,專為高電流和高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 的漏源電壓 (VDS) 為 40V,柵源電壓 (VGS) 高達(dá) ±20V,閾值電壓 (Vth) 為 3V。其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在不同柵電壓下表現(xiàn)優(yōu)異:2.5mΩ @ VGS = 4.5V 和 2mΩ @ VGS = 10V。憑借其 150A 的最大漏極電流和 Trench 技術(shù),IRF1404SPBF-VB 能夠在高電流條件下提供低功耗、高效率的開關(guān)性能,適用于多種高負(fù)載應(yīng)用。

### 二、IRF1404SPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單一 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 150A
- **技術(shù)類型**: Trench 技術(shù)

### 三、IRF1404SPBF-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
IRF1404SPBF-VB 的高性能特性使其適用于多個領(lǐng)域和模塊:

1. **高效能開關(guān)電源**: IRF1404SPBF-VB 由于其極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,非常適合用于高效能開關(guān)電源系統(tǒng),如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器。其高效的開關(guān)特性能夠顯著減少開關(guān)損耗,提高電源效率。

2. **電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)**: 在電動汽車和混合動力汽車系統(tǒng)中,IRF1404SPBF-VB 可用于電機(jī)驅(qū)動、電池管理和充電系統(tǒng)。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻有助于提升電動驅(qū)動系統(tǒng)的整體性能和電池管理效率。

3. **電力逆變器**: 該 MOSFET 適用于太陽能光伏系統(tǒng)和其他電力逆變器設(shè)備,其高電流處理能力和低導(dǎo)通損耗能夠有效管理和轉(zhuǎn)換電力,確保逆變器系統(tǒng)的高效運(yùn)行。

4. **工業(yè)控制和負(fù)載開關(guān)**: IRF1404SPBF-VB 可用于高功率負(fù)載開關(guān)和工業(yè)控制系統(tǒng)中。其高電流處理能力和低功耗特性使其成為控制和保護(hù)高功率負(fù)載的理想選擇,如電力分配和電機(jī)控制模塊。

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