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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF1404ZSPBF-VB一款TO263封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF1404ZSPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 150A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**IRF1404ZSPBF-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET,封裝采用 TO263。該 MOSFET 設(shè)計(jì)用于處理高電流和高效率應(yīng)用,憑借其超低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,適合需要高功率和高開關(guān)性能的場(chǎng)景。它采用了先進(jìn)的 Trench 技術(shù),這種技術(shù)不僅優(yōu)化了開關(guān)性能,還顯著降低了功耗,使其在高電流電源管理和功率控制系統(tǒng)中表現(xiàn)卓越。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: IRF1404ZSPBF-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單 N-Channel
- **漏極到源極電壓(VDS)**: 40V
- **柵極到源極電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 2.5mΩ(VGS=4.5V)
 - 2mΩ(VGS=10V)
- **漏極電流(ID)**: 150A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

**IRF1404ZSPBF-VB** MOSFET 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **高功率電源轉(zhuǎn)換器**:
  - 在高功率電源轉(zhuǎn)換器中,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器(Buck 和 Boost 轉(zhuǎn)換器),IRF1404ZSPBF-VB 能夠有效地降低開關(guān)損耗,提高轉(zhuǎn)換效率。其極低的導(dǎo)通電阻(2mΩ@VGS=10V)確保了高效的電力轉(zhuǎn)換和最小的能量損失。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:
  - 這款 MOSFET 能處理電動(dòng)機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行過程中的大電流,適用于高功率電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其高電流承載能力(150A)和低導(dǎo)通電阻提供了平穩(wěn)的電動(dòng)機(jī)控制和高效能。

3. **功率開關(guān)應(yīng)用**:
  - 在各種功率開關(guān)應(yīng)用中,如電源開關(guān)和負(fù)載開關(guān),IRF1404ZSPBF-VB 提供了可靠的開關(guān)性能。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠穩(wěn)定地處理大電流負(fù)載,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行。

4. **電源管理系統(tǒng)**:
  - 在電源管理系統(tǒng)中,如電池管理系統(tǒng)和電源調(diào)節(jié)器,這款 MOSFET 能夠高效地控制電流流動(dòng)。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力能夠提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和整體性能。

5. **工業(yè)控制設(shè)備**:
  - IRF1404ZSPBF-VB 也適用于各種工業(yè)控制設(shè)備,包括電動(dòng)閥門、加熱器和其他高功率設(shè)備。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保了設(shè)備的可靠性和高效運(yùn)行。

綜合其優(yōu)異的電氣性能,IRF1404ZSPBF-VB 是各種需要高電流、高效率的應(yīng)用中的理想選擇。

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