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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF1405ZLTRPBF-VB一款TO262封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF1405ZLTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 3mΩ@VGS=10V
  • ID 210A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IRF1405ZLTRPBF-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET,封裝為T(mén)O262。此MOSFET具有高達(dá)60V的漏源電壓(V_DS)和210A的漏電流(I_D),適合處理大功率應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))為3mΩ,在V_GS = 10V時(shí)提供高效能。IRF1405ZLTRPBF-VB采用Trench技術(shù)設(shè)計(jì),旨在提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和低功耗損耗,適合高效電源和功率管理系統(tǒng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: IRF1405ZLTRPBF-VB
- **封裝**: TO262
- **配置**: 單級(jí)N溝道
- **漏源電壓(V_DS)**: 60V
- **柵源電壓(V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓(V_th)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))**: 3mΩ @ V_GS = 10V
- **漏電流(I_D)**: 210A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **高功率電源轉(zhuǎn)換器**:
  - IRF1405ZLTRPBF-VB 的高漏電流能力和低導(dǎo)通電阻使其成為高功率電源轉(zhuǎn)換器的理想選擇。它能在高電流條件下保持低功率損耗,從而提高轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

2. **電動(dòng)汽車(chē)**:
  - 在電動(dòng)汽車(chē)的電池管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,IRF1405ZLTRPBF-VB 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻可確保高效的電流控制和功率管理,支持車(chē)輛在高負(fù)荷和極端條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **電池充電器**:
  - 用于電池充電器時(shí),該MOSFET提供了高效的電源轉(zhuǎn)換和功率管理。低導(dǎo)通電阻減少了能量損耗,提高了充電效率,延長(zhǎng)了電池的使用壽命。

4. **工業(yè)電源管理**:
  - 在工業(yè)應(yīng)用中,IRF1405ZLTRPBF-VB 的高電流處理能力和穩(wěn)定性能適用于各種電源管理系統(tǒng),如不間斷電源(UPS)和工業(yè)電源模塊,確保設(shè)備的高效運(yùn)行和可靠性。

5. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
  - 該MOSFET適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中,能夠有效處理大電流并保持低功耗,提升轉(zhuǎn)換器的總體效率,滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高穩(wěn)定性的要求。

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