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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF2807ZPBF-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF2807ZPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 80V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**IRF2807ZPBF-VB** 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,封裝形式為 TO220。它采用了先進的 Trench 技術(shù),專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 的漏源電壓高達 80V,能夠處理較大的電流,并且其低導通電阻確保了高效的功率傳輸。IRF2807ZPBF-VB 在各種功率管理和開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,特別適合在高功率和高效率的環(huán)境中使用。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: IRF2807ZPBF-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單一 N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: 80V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS = 4.5V
 - 7mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

**IRF2807ZPBF-VB** 的高性能特性使其在多個關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域中表現(xiàn)卓越:

1. **電源管理**: 該 MOSFET 常用于開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,憑借其低 RDS(ON) 和高電流能力,能夠顯著降低功率損耗,提高能效,并且有效管理電源的熱量。

2. **電動汽車**: 在電動汽車的電池管理系統(tǒng)和驅(qū)動電路中,IRF2807ZPBF-VB 的高電壓和高電流處理能力非常重要,有助于提高電動車的動力系統(tǒng)穩(wěn)定性和整體效率。

3. **電機驅(qū)動**: 該 MOSFET 適用于電機驅(qū)動模塊,如工業(yè)電機和自動化設(shè)備,它的高電流承載能力和低導通電阻能夠提高電機的運行效率和響應(yīng)速度。

4. **高功率放大器**: 在音頻放大器和 RF 放大器等高功率應(yīng)用中,IRF2807ZPBF-VB 能夠減少功率損耗,保持系統(tǒng)的高效運行,同時保證設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。

總結(jié)而言,IRF2807ZPBF-VB 由于其優(yōu)異的電氣性能,特別適合用于需要高電壓和高電流處理的電子系統(tǒng),是許多高功率應(yīng)用中的理想選擇。

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