91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

IRF2807ZSTRL-VB一款TO263封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IRF2807ZSTRL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 80V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 6mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF2807ZSTRL-VB MOSFET 詳細產(chǎn)品信息

#### 產(chǎn)品簡介

IRF2807ZSTRL-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 TO263 封裝,專為高電壓和高電流應用設計。它利用 Trench 技術(shù)制造,提供了極低的導通電阻和優(yōu)異的電流處理能力。該 MOSFET 的最大漏極源極電壓(V_DS)為 80V,最大柵源極電壓(V_GS)為 ±20V。其柵源極閾值電壓(V_th)為 3V,在 4.5V 和 10V 的柵源電壓下,導通電阻分別為 10mΩ 和 6mΩ。這使得 IRF2807ZSTRL-VB 在高電流應用中表現(xiàn)出色,其最大持續(xù)電流(I_D)為 120A,適用于各種高電壓和高功率的電子設計和電源管理模塊。

#### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO263
- **配置**: Single-N-Channel
- **最大漏極源極電壓 (V_DS)**: 80V
- **最大柵源極電壓 (V_GS)**: ±20V
- **柵源極閾值電壓 (V_th)**: 3V
- **導通電阻 (R_DS(on))**:
 - 10mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 6mΩ @ V_GS = 10V
- **最大持續(xù)電流 (I_D)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench

#### 應用領域和模塊舉例

1. **電源管理**: IRF2807ZSTRL-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于高效的電源管理系統(tǒng)。它可用于高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源模塊中,提高系統(tǒng)效率并減少能量損耗。

2. **電動汽車**: 在電動汽車的電池管理和功率驅(qū)動系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以作為開關元件,控制大電流并確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。它的高電流能力和低導通電阻有助于提升電動汽車的性能和續(xù)航能力。

3. **工業(yè)自動化**: 在工業(yè)自動化系統(tǒng)中,IRF2807ZSTRL-VB 可以用于控制電機和高功率負載。其高電流能力和低導通電阻確保了高效的電機驅(qū)動和可靠的系統(tǒng)運行。

4. **功率放大器**: 在高功率音響系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以作為功率放大器的開關元件。其低導通電阻有助于減少功率損耗,提升音質(zhì)和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

5. **開關電源**: IRF2807ZSTRL-VB 在開關電源設計中也表現(xiàn)出色。其極低的導通電阻幫助減少開關損耗,提升開關電源的整體效率和性能。

這些應用示例展示了 IRF2807ZSTRL-VB 在高電流和高電壓應用中的優(yōu)勢,使其成為許多現(xiàn)代電子設備和電源系統(tǒng)中不可或缺的關鍵組件。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    517瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    439瀏覽量