--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO263
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 80V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 6mΩ@VGS=10V
- ID 120A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### IRF2807ZSTRL-VB MOSFET 詳細產(chǎn)品信息
#### 產(chǎn)品簡介
IRF2807ZSTRL-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 TO263 封裝,專為高電壓和高電流應用設計。它利用 Trench 技術(shù)制造,提供了極低的導通電阻和優(yōu)異的電流處理能力。該 MOSFET 的最大漏極源極電壓(V_DS)為 80V,最大柵源極電壓(V_GS)為 ±20V。其柵源極閾值電壓(V_th)為 3V,在 4.5V 和 10V 的柵源電壓下,導通電阻分別為 10mΩ 和 6mΩ。這使得 IRF2807ZSTRL-VB 在高電流應用中表現(xiàn)出色,其最大持續(xù)電流(I_D)為 120A,適用于各種高電壓和高功率的電子設計和電源管理模塊。
#### 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO263
- **配置**: Single-N-Channel
- **最大漏極源極電壓 (V_DS)**: 80V
- **最大柵源極電壓 (V_GS)**: ±20V
- **柵源極閾值電壓 (V_th)**: 3V
- **導通電阻 (R_DS(on))**:
- 10mΩ @ V_GS = 4.5V
- 6mΩ @ V_GS = 10V
- **最大持續(xù)電流 (I_D)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench
#### 應用領域和模塊舉例
1. **電源管理**: IRF2807ZSTRL-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于高效的電源管理系統(tǒng)。它可用于高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源模塊中,提高系統(tǒng)效率并減少能量損耗。
2. **電動汽車**: 在電動汽車的電池管理和功率驅(qū)動系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以作為開關元件,控制大電流并確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。它的高電流能力和低導通電阻有助于提升電動汽車的性能和續(xù)航能力。
3. **工業(yè)自動化**: 在工業(yè)自動化系統(tǒng)中,IRF2807ZSTRL-VB 可以用于控制電機和高功率負載。其高電流能力和低導通電阻確保了高效的電機驅(qū)動和可靠的系統(tǒng)運行。
4. **功率放大器**: 在高功率音響系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以作為功率放大器的開關元件。其低導通電阻有助于減少功率損耗,提升音質(zhì)和系統(tǒng)穩(wěn)定性。
5. **開關電源**: IRF2807ZSTRL-VB 在開關電源設計中也表現(xiàn)出色。其極低的導通電阻幫助減少開關損耗,提升開關電源的整體效率和性能。
這些應用示例展示了 IRF2807ZSTRL-VB 在高電流和高電壓應用中的優(yōu)勢,使其成為許多現(xiàn)代電子設備和電源系統(tǒng)中不可或缺的關鍵組件。
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