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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF2807ZSTRR-VB一款TO263封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF2807ZSTRR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 80V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 6mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF2807ZSTRR-VB 產(chǎn)品簡介

**IRF2807ZSTRR-VB** 是一款高性能 N 通道 MOSFET,封裝形式為 TO263。該 MOSFET 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),設(shè)計(jì)用于處理高電壓和高電流應(yīng)用。IRF2807ZSTRR-VB 的 80V 漏源電壓和 120A 最大漏極電流,使其適合用于要求高功率和高效率的電源管理、電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其低導(dǎo)通電阻進(jìn)一步提升了開關(guān)效率和系統(tǒng)性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**: TO263
- **配置**: 單 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 80V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵源閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 10mΩ @ VGS=4.5V
 - 6mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理系統(tǒng)**: IRF2807ZSTRR-VB 在電源管理系統(tǒng)中非常有效,特別是在高功率開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中。其低 RDS(ON) 值和高電流承載能力幫助降低功耗和提高轉(zhuǎn)換效率,確保電源系統(tǒng)的高效運(yùn)行。

2. **功率轉(zhuǎn)換器**: 在功率轉(zhuǎn)換器電路中,例如高效率的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,IRF2807ZSTRR-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電壓處理能力使其能夠提供穩(wěn)定的性能和高效能的功率轉(zhuǎn)換,適用于工業(yè)電源和消費(fèi)電子產(chǎn)品。

3. **電機(jī)控制**: IRF2807ZSTRR-VB 的高電流處理能力和優(yōu)異的開關(guān)性能使其適用于電機(jī)控制應(yīng)用,包括電動(dòng)工具、自動(dòng)化設(shè)備和電動(dòng)汽車。其低導(dǎo)通電阻確保電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的高效能和穩(wěn)定性。

4. **功率放大器**: 在功率放大器電路中,IRF2807ZSTRR-VB 能夠處理高功率信號(hào),其低 RDS(ON) 值和高電流能力確保了穩(wěn)定的性能和高效的功率傳輸,適用于音頻放大器和射頻放大器等應(yīng)用。

5. **工業(yè)自動(dòng)化**: 在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,IRF2807ZSTRR-VB 的高電流承載能力和優(yōu)良的開關(guān)性能使其適用于高功率負(fù)載的控制和驅(qū)動(dòng),提供可靠性和效率,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)和高功率設(shè)備中。

這些應(yīng)用示例展示了 IRF2807ZSTRR-VB 在各種高電壓和高電流要求的應(yīng)用中的優(yōu)越性能和廣泛適用性。

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