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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF2907ZL-VB一款TO262封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF2907ZL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 80V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 6mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF2907ZL-VB MOSFET 詳細(xì)產(chǎn)品信息

#### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRF2907ZL-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO262 封裝,專為中高電流、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該 MOSFET 具有 80V 的漏極源極電壓 (V_DS) 和 ±20V 的柵源極電壓 (V_GS),可以在多種中高壓電源應(yīng)用中使用。其柵極閾值電壓 (V_th) 為 3V,導(dǎo)通電阻 (R_DS(on)) 在 4.5V 和 10V 的柵極電壓下分別為 10mΩ 和 6mΩ,確保其在高電流應(yīng)用中具有極低的功耗。最大持續(xù)電流為 85A,使其成為適合在功率轉(zhuǎn)換、電源管理和工業(yè)設(shè)備中使用的理想選擇。

#### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**: TO262
- **配置**: Single-N-Channel
- **最大漏極源極電壓 (V_DS)**: 80V
- **最大柵源極電壓 (V_GS)**: ±20V
- **柵源極閾值電壓 (V_th)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(on))**:
 - 10mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 6mΩ @ V_GS = 10V
- **最大持續(xù)電流 (I_D)**: 85A
- **技術(shù)**: Trench

#### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理系統(tǒng)**: IRF2907ZL-VB 非常適合用于中高功率的電源管理系統(tǒng),尤其是需要快速開(kāi)關(guān)和高效率的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。其低導(dǎo)通電阻可以顯著降低功率損耗,提升電源轉(zhuǎn)換效率。

2. **電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)**: 在電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力驅(qū)動(dòng)模塊或電池管理系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可有效控制較高電流,確保電力傳輸?shù)母咝院头€(wěn)定性,適用于能量回收和驅(qū)動(dòng)控制等應(yīng)用。

3. **工業(yè)自動(dòng)化**: IRF2907ZL-VB 在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、繼電器控制和大功率開(kāi)關(guān)。它能承受高電流,確保設(shè)備在工業(yè)環(huán)境中的長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **太陽(yáng)能逆變器**: 在太陽(yáng)能系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可用于高效率的逆變器設(shè)計(jì),減少功耗并提高能量轉(zhuǎn)換的效率。它的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻幫助提高整體系統(tǒng)的性能。

5. **通信設(shè)備**: 在通信基站和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的功率放大器中,IRF2907ZL-VB 可作為功率控制開(kāi)關(guān)使用,幫助提高設(shè)備的穩(wěn)定性和功率轉(zhuǎn)換效率,確保信號(hào)傳輸?shù)目煽啃浴?/p>

這些應(yīng)用場(chǎng)景展示了 IRF2907ZL-VB 的廣泛用途,尤其是在需要高效功率控制的電源管理和工業(yè)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

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